納微氮化鎵和碳化硅技術并進，下一代AI數據中心電源功率突破飛升

加利福尼亞州托倫斯2024年3月11日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）發(fā)布了最新的AI人工智能數據中心電源技術路線圖，以滿足未來12-18個月內呈最高3倍指數級增長的AI系統(tǒng)功率需求。

傳統(tǒng)CPU通常只需300W的功率支持，而數據中心的AC-DC電源通常可為功率10倍于傳統(tǒng)CPU（即3000W）的應用供電。如NVIDIA的“Grace Hopper” H100等的高性能AI處理器，每顆的功率需求達700W，而預計明年下一代“Blackwell” B100和B200芯片的功率需求將增加到1000W或更多。為應對這種指數級的功率需求提升，納微半導體正持續(xù)開發(fā)新的服務器電源平臺，將電源功率水平從3kW迅速提升到10kW。

2023年8月，納微半導體推出一款利用最新氮化鎵技術打造的3.2kW數據中心電源平臺，其功率密度接近100W/in3且效率超過96.5%。近期，納微將發(fā)布一款全新的4.5kW電源平臺，通過將氮化鎵技術和碳化硅技術相結合，將功率密度推至135W/in3以上，效率超過97%。

CRPS185 3.2kW鈦金+效率服務器電源詳解

這兩款平臺已引起市場的極大興趣，目前有超過20個數據中心客戶項目正在開發(fā)中，預計從今年開始將帶來數百萬美元的氮化鎵或碳化硅收入。此外，納微還宣布計劃在2024年底推出8 - 10kW的電源平臺，以滿足2025年的AI系統(tǒng)功率要求。該平臺將利用更新的氮化鎵和碳化硅技術，以及在架構上的進一步延伸，為數據中心電源的功率密度和效率，樹立全新的行業(yè)標準，幫助數據中心客戶縮短產品開發(fā)周期。

目前，納微已經與主要的數據中心客戶完成接洽，預計在24年第四季度推出完整的電源平臺，僅12至18個月即可滿足3倍功率需求的提升。

納微半導體專有的數據中心應用團隊正在開展這些系統(tǒng)設計，以應對AI數據中心功率需求的急劇增加，并協助客戶快速有效地部署這些平臺，以滿足AI飛速發(fā)展過程中客戶對產品上市速度的高要求。納微的系統(tǒng)設計包括完整的設計資料，經全面測試的硬件、原理圖、材料清單、布局、仿真和硬件測試結果，以保證最大限度地實現“一次就成功設計”并幫助客戶快速取得收益。

納微半導體首席執(zhí)行官兼聯合創(chuàng)始人Gene Sheridan

“AI技術的快速進化和全面應用，為數據中心及相關行業(yè)帶來了前所未有的嚴峻功率挑戰(zhàn)。納微在先進的氮化鎵和碳化硅技術上已有大量投入，結合我們專有的數據中心應用團隊出色且專業(yè)的能力，為我們在市場挑戰(zhàn)中搶占了高地。

納微團隊已做好全面準備來迎接這一挑戰(zhàn)，我們的目標是在不到18個月的時間里為數據中心服務器電源，實現3倍的功率的突破飛升。”