新品
帶iMOTION MADK的160V
半橋SOI半橋驅動器驅動100V
MOSFET評估套件
用于電池供電應用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM1評估套件包括一塊三相逆變器功率板,該功率板帶有額定電壓為160V的2ED2748S01G(3x3 10引腳DFN封裝)半橋柵極驅動器,可驅動12個額定電壓為100V的OptiMOS MOSFET IPTC015N10NM5(HDSOP-16封裝)。功率板上有一個M1連接器,用于連接配有iMOTION模塊化應用設計套件(MADK)控制卡-EVAL-M1-101T。
產品型號:
EVAL-2ED2748S01GM1評估套件
所用器件:
柵極驅動器:2ED2748S01G半橋柵極驅動器
OptiMOS MOSFET: IPTC015N10NM5
產品特點
+160V的自舉電壓(VB)
4A/8A源/灌驅動電流
自舉電路設計
集成自舉二極管
高壓側和低壓側的UVLO
短脈沖/噪聲輸入濾波器
施密特觸發器輸入
3.3V、5V輸入邏輯兼容
應用價值
高驅動電流
高功率密度
更小的占地面積
高耐用性和可靠性
出色的熱管理
可擴展性
簡單(易于使用)
競爭優勢
優秀的NTSOA
高驅動電流(4A/8A)可驅動多個并聯開關
應用領域
LEV
電動自行車
電池供電工具
產品框圖
-
英飛凌
+關注
關注
67文章
2319瀏覽量
140211 -
MOSFET
+關注
關注
150文章
8276瀏覽量
218601 -
SOI
+關注
關注
4文章
75瀏覽量
17913 -
半橋驅動器
+關注
關注
3文章
92瀏覽量
13972
發布評論請先 登錄
Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅動器數據手冊

LM5100B 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 2A、100V 半橋柵極驅動器數據手冊

HPD2606X 600V半橋柵極驅動器技術手冊:高壓高速MOSFET和IGBT驅動設計
TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應用與設計
TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET

使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半橋驅動器

評論