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LM5108 具有使能和互鎖功能的 2.6A、110V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-24 14:57 ? 次閱讀

LM5108 是一款高頻半橋柵極驅(qū)動器,最大開關(guān)節(jié)點 (HS) 額定電壓為 100V。它允許在基于半橋配置的拓撲結(jié)構(gòu)中控制兩個 N 溝道 MOSFET,例如同步降壓、全橋、有源鉗位正激、LLC 和同步升壓。

該器件具有互鎖功能,可防止兩個輸出同時為高電平,當(dāng)兩個輸入都為高電平時。這種聯(lián)鎖功能提高了電機驅(qū)動和電動工具應(yīng)用中的系統(tǒng)穩(wěn)健性。啟用和禁用功能允許靈活、快速地控制功率級。電池供電的工具還可以使用 LM5108 的使能功能來降低待機電流并響應(yīng)系統(tǒng)故障。輸入與電源電壓無關(guān),可以具有獨立的脈沖寬度。這允許最大的控制靈活性。inputs 和 enable 都具有足夠的遲滯,以提高系統(tǒng)在易受噪聲影響的應(yīng)用(如電機驅(qū)動)中的穩(wěn)健性。
*附件:lm5108.pdf

低側(cè)和高側(cè)輸出在彼此的導(dǎo)通和關(guān)斷之間匹配到 1ns。這允許死區(qū)時間優(yōu)化,從而提高效率。5V UVLO 允許驅(qū)動器在較低的偏置電源下工作,從而進一步允許功率級在更高的開關(guān)頻率下工作,而不會增加開關(guān)損耗。VDD 和 HB UVLO 閾值規(guī)格的設(shè)計方式是,高端和低端驅(qū)動器通常都在 5 V 時導(dǎo)通。如果 VDD 和 HB UVLO 閾值相同,則設(shè)計人員將需要比 VDD UVLO 閾值更高的偏置電源來接通高端和低端驅(qū)動器。

板載自舉二極管無需外部分立二極管,從而提高了電路板空間利用率。小型封裝支持密集的電源設(shè)計,例如電動工具。

特性

  • 在高側(cè)低側(cè)配置中驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET
  • 采用 3mm x 3mm 封裝
  • 聯(lián)鎖或交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護
  • 啟用/禁用功能
  • HS 上的絕對最大負電壓處理能力 (–7 V)
  • 5V 典型欠壓鎖定
  • 20ns 典型傳播延遲
  • 11 ns 上升,8 ns 典型下降時間(負載為 1000 pF 時)
  • 1ns 典型延遲匹配
  • 2.6A 灌電流、1.6A 拉電流輸出電流
  • 絕對最大啟動電壓 110 V
  • 禁用時電流消耗低 (7μA)
  • 集成自舉二極管

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

LM8是一款高頻半橋門驅(qū)動器,能夠驅(qū)動兩個N溝道MOSFET,適用于高邊和低邊配置。該產(chǎn)品具備互鎖或交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護功能,并提供使能/禁用功能,適用于電機驅(qū)動、電源工具以及開關(guān)模式電源等應(yīng)用。

二、主要特性

  • ?高電壓能力?:最大開關(guān)節(jié)點(HS)電壓額定值為0V。
  • ?小封裝?:采用mm x mm封裝,適用于高密度功率設(shè)計。
  • ?保護功能?:集成互鎖功能,防止兩個輸出同時為高電平;具備欠壓鎖定(UVLO)功能。
  • ?低延遲?:典型傳播延遲為ns,上升時間為ns,下降時間為8ns。
  • ?高驅(qū)動電流?:源輸出電流為.A,漏輸出電流為2.6A。
  • ?低靜態(tài)電流?:禁用時電流消耗僅為7μA。
  • ?集成自舉二極管?:消除了對外部離散二極管的需求。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

  • 電機驅(qū)動和電源工具
  • 開關(guān)模式電源
  • 輔助逆變器

四、功能描述

  • ?獨立輸入控制?:兩個輸入信號獨立控制高邊和低邊輸出,允許最大控制靈活性。
  • ?互鎖功能?:當(dāng)兩個輸入均為高電平時,兩個輸出均被關(guān)閉,提高系統(tǒng)魯棒性。
  • ?使能/禁用功能?:通過使能(EN)引腳可靈活控制電源級。
  • ?UVLO功能?:低邊和高邊電源軌均具備欠壓鎖定保護,確保在足夠電源電壓下工作。
  • ?匹配延遲?:高邊和低邊輸出之間的開啟和關(guān)閉延遲匹配到1ns,優(yōu)化死區(qū)時間,提高效率。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了LM8在同步降壓或半橋配置中驅(qū)動N溝道FET的典型應(yīng)用電路,包括設(shè)計要求和詳細設(shè)計步驟。設(shè)計步驟涵蓋了自舉電容和VDD電容選擇、驅(qū)動器功率損耗估計、外部柵極電阻選擇、延遲和脈沖寬度考慮等內(nèi)容。

六、電源推薦

  • 推薦VDD供電電壓范圍為5.5V至6V。
  • 需要在VDD和GND之間、HB和HS之間分別連接旁路電容,以支持高峰值電流。

七、布局指南

  • ?旁路電容放置?:旁路電容應(yīng)盡可能靠近相應(yīng)的電源引腳,以最小化ESL和ESR。
  • ?接地設(shè)計?:將高峰值電流限制在最小物理區(qū)域,以減小環(huán)路電感和最小化噪聲。
  • ?熱設(shè)計?:將熱焊盤連接到大的重銅平面,以改善熱性能。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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