LM25101 高壓柵極驅動器設計用于驅動高壓側和 采用同步降壓或半橋配置的低側 N 溝道 MOSFET。A 版本 提供完整的 3A 柵極驅動,而 B 和 C 版本分別提供 2A 和 1A。這 輸出由 TTL 輸入閾值獨立控制。集成的高壓二極管是 用于為高側柵極驅動自舉電容器充電。堅固的電平轉換器在 高速,低功耗,并提供來自控制邏輯的干凈電平轉換 到高端柵極驅動器。低側和 高側電源軌。
*附件:lm25101.pdf
這些器件采用標準 8 引腳 SOIC、8 引腳 SO-PowerPAD、8 引腳 WSON 封裝。 10 引腳 WSON 和 8 引腳 MSOP PowerPAD 封裝。
特性
- 獨立的高低驅動器邏輯輸入
- 自舉電源電壓高達 100V DC
- 驅動高側和低側 N 溝道 MOSFET
- 快速傳播時間(典型值為 25 ns)
- 以 8ns 的上升和下降時間驅動 1000pF 負載
- 出色的傳播延遲匹配(典型值為 3 ns)
- 電源軌欠壓鎖定
- 低功耗
- 引腳與 HIP2100 和 HIP2101 兼容
參數
方框圖
一、產品概述
- ?型號?:LM1
- ?類型?:0V半橋柵極驅動器
- ?特點?:
- 獨立的高側和低側驅動邏輯輸入
- 自舉電源電壓高達0V DC
- 驅動高側和低側N溝道MOSFET
- 快速傳播時間(典型值ns)
- 負載pF時,上升和下降時間均為8ns
- 優異的傳播延遲匹配(典型值3ns)
- 供電軌欠壓鎖定(UVLO)
- 低功耗
- 與HIP和HIP引腳兼容
二、應用領域
三、引腳配置與功能
- ?VDD?:正柵極驅動電源
- ?VSS?:地返回
- ?HI?:高側驅動控制輸入
- ?HO?:高側柵極驅動輸出
- ?HS?:高側MOSFET源極連接
- ?LI?:低側驅動控制輸入
- ?LO?:低側柵極驅動輸出
- ?HB?:高側柵極驅動自舉軌
- ?NC?:無連接
- ?Thermal Pad?:熱墊(用于散熱)
四、電氣特性
- ?供電電壓范圍?:V至V
- ?輸入閾值?:TTL類型閾值
- ?輸出電流?:
- A版本:A峰值
- B版本:A峰值
- C版本:A峰值
- ? 低電平輸出電壓(VOL) ?:
- A版本:.2V至.5V
- B版本:.6V至.V
- C版本:.8V至.5V
- ? 高電平輸出電壓(VOH) ?:接近VDD
- ?傳播延遲?:典型值ns至ns
- ?上升/下降時間?:pF負載時,典型值8ns
五、保護功能
- ?UVLO?:監控VDD和HB-HS電壓,確保在電壓足夠時輸出才被激活。
六、典型應用
- 提供了典型應用圖,包括外部元件選擇和布局建議。
七、布局指南
- 推薦使用低ESR和ESL電容器,并盡可能靠近IC放置。
- 為防止高側MOSFET漏極出現大電壓瞬變,應在MOSFET漏極和地之間連接低ESR電解電容器。
- 最小化高側MOSFET源極和低側MOSFET漏極(同步整流器)的寄生電感。
八、文檔與支持
- 提供了接收文檔更新通知、社區資源、商標、靜電放電警示和術語表的鏈接。
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