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LM5109B 器件是一款高性價比的高壓柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動同步降壓或半橋中的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET 配置。浮動的高側(cè)驅(qū)動器能夠在高達 90 V 的電源軌電壓下工作。輸出為通過經(jīng)濟高效的 TTL 和 CMOS 兼容 input thresholds。堅固的電平轉(zhuǎn)換技術高速運行同時功耗低，并提供從控制輸入邏輯到高端柵極驅(qū)動器。低側(cè)和高側(cè)均提供欠壓鎖定電源軌。該器件采用 8 引腳 SOIC 和熱增強型 8 引腳 WSON 封裝包。
*附件：lm5109b.pdf

特性

驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET
1A 峰值輸出電流（1.0A 灌電流和 1.0A 拉電流）
輸入兼容獨立的 TTL 和 CMOS
自舉電源電壓至 108V DC
快速傳播時間（典型值為 30 ns）
以 15ns 的上升和下降時間驅(qū)動 1000pF 負載
出色的傳播延遲匹配（典型值為 2 ns）
電源軌欠壓鎖定
低功耗
8 引腳 SOIC 和耐熱性能增強型 8 引腳 WSON 封裝

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LMB 是一款高壓、峰值 A 的半橋柵極驅(qū)動器，設計用于驅(qū)動同步降壓或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。該驅(qū)動器具有高電壓兼容性、快速傳播時間和低功耗特性，適用于多種電源轉(zhuǎn)換應用，如電流饋電推挽轉(zhuǎn)換器、半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器、固態(tài)電機驅(qū)動以及兩開關正向功率轉(zhuǎn)換器等。

二、主要特性

?高電壓兼容性?：支持高達 V 的軌電壓，浮動高側(cè)驅(qū)動器能夠處理高達 V 的 DC 電壓。
?峰值 A 輸出電流?：高側(cè)和低側(cè)輸出均具備 A 的峰值源電流和沉電流能力。
?快速傳播時間?：典型值為 ns，確保高效開關操作。
?輸入兼容性?：輸入與 TTL 和 CMOS 兼容，提供靈活的接口選項。
?低功耗?：內(nèi)置 UVLO（欠壓鎖定）功能，減少不必要的功耗。
?熱增強型封裝?：提供引腳 SOIC 和熱增強型引腳 WSON 封裝選項，提高熱散性能。

三、引腳配置與功能

?VDD?：正門極驅(qū)動電源，需使用低 ESR 和 ESL 電容在 VSS 附近局部解耦。
?HI/LI?：高側(cè)/低側(cè)控制輸入，與 TTL 和 CMOS 輸入閾值兼容。
?VSS?：地，所有信號均以此為參考。
?LO?：低側(cè)門極驅(qū)動器輸出，連接到低側(cè) N-MOS 設備的門極。
?HS?：高側(cè)源連接，連接到自舉電容的負端和高側(cè) N-MOS 設備的源極。
?HO?：高側(cè)門極驅(qū)動器輸出，連接到高側(cè) N-MOS 設備的門極。
?HB?：高側(cè)門極驅(qū)動器正電源軌，連接到自舉電容的正端。

四、電氣特性

?工作電壓范圍?：VDD 為 V 至 V，HB 為 VSS 至 VDD + V。
?輸入閾值?：低電平輸入電壓閾值（VIL）為 .V（典型值），高電平輸入電壓閾值（VIH）為 .V（典型值）。
?輸出特性?：低電平輸出電壓（VOL/VOLL）典型值為 .V，高電平輸出電壓（VOH/VOHH）典型值為 .V。
?傳播延遲?：上下側(cè)開啟/關閉傳播延遲典型值為 ns 至 ns。

五、功能描述

?啟動與 UVLO?：上下側(cè)驅(qū)動器均包含 UVLO 保護電路，分別監(jiān)測 VDD 和自舉電容電壓。UVLO 電路在供電電壓不足時禁止輸出，以防止外部 MOSFET 意外導通。
?電平移位?：高側(cè)輸入與高側(cè)驅(qū)動器級之間的電平移位電路，允許控制 HO 輸出，該輸出以 HS 為參考，并與低側(cè)驅(qū)動器提供出色的延遲匹配。
?輸出級?：輸出級與功率 MOSFET 的電源軌接口，具有高轉(zhuǎn)換速率、低電阻和高峰值電流能力，以實現(xiàn)高效的 MOSFET 開關。