• 可驅動高側和低側N溝道金屬氧化物半導體場效應應晶體管（MOSFET）
• 1A峰值輸出電流（1.0A灌電流和1.0A拉電流）
• 與獨立的晶體管 - 晶體管邏輯電路（TTL）和互補金屬氧化物半導體（CMOS）兼容的輸入
• 自舉電源電壓高達108VDC
• 短暫傳播時間（典型值為30ns）
• 可以15ns的上升和下降時間驅動1000pF負載
• 優異的傳播延遲匹配（典型值為2ns）
• 支持電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 8引腳小外形尺寸集成電路（SOIC）和耐熱增強型8引腳晶圓級小外形無引線（WSON）封裝

應用

• 電流反饋推挽式轉換器
• 半橋和全橋電源轉換器
• 固態電機驅動器
• 雙開關正激電源轉換器

全部商標是其各自所有者的財產。