UCC27282 -Q1 是一款堅(jiān)固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，最大開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS） 額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓?fù)渲锌刂苾蓚€(gè) N 溝道 MOSFET。其 3A 峰值拉電流和灌電流以及低上拉和下拉電阻使 UCC27282 -Q1 能夠在 MOSFET 米勒平臺(tái)過(guò)渡期間以最小的開(kāi)關(guān)損耗驅(qū)動(dòng)大功率 MOSFET。由于輸入與電源電壓無(wú)關(guān)，因此 UCC27282 -Q1 可與模擬和數(shù)字控制器結(jié)合使用。
*附件：ucc27282-q1.pdf

輸入引腳和 HS 引腳能夠承受顯著的負(fù)電壓，從而提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。輸入互鎖進(jìn)一步提高了高噪聲應(yīng)用中的穩(wěn)健性和系統(tǒng)可靠性。啟用和禁用功能通過(guò)降低驅(qū)動(dòng)程序的功耗并響應(yīng)系統(tǒng)內(nèi)的故障事件，提供了額外的系統(tǒng)靈活性。5 V UVLO 允許系統(tǒng)在較低的偏置電壓下工作，這在許多高頻應(yīng)用中是必需的，并且可以提高某些工作模式下的系統(tǒng)效率。小傳播延遲和延遲匹配規(guī)格最大限度地減少了死區(qū)時(shí)間要求，從而進(jìn)一步提高了效率。

高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器級(jí)均提供欠壓鎖定 （UVLO），如果 VDD 電壓低于指定閾值，則強(qiáng)制輸出為低電平。集成的自舉二極管在許多應(yīng)用中無(wú)需外部分立二極管，從而節(jié)省了電路板空間并降低了系統(tǒng)成本。UCC27282 -Q1 采用小型封裝，可實(shí)現(xiàn)高密度設(shè)計(jì)。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下
  • 溫度等級(jí) 1 （T j = –40°C 至 150°C）
  • HBM ESD 分類等級(jí) 1B
  • 清潔發(fā)展機(jī)制 ESD 分類等級(jí) C3
• 在高側(cè)低側(cè)配置中驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
• 5V 典型欠壓鎖定
• 輸入聯(lián)鎖
• 啟用/禁用 DRC 包中的功能
• 16ns 典型傳播延遲
• 12ns 上升時(shí)間，10ns 下降時(shí)間（1.8nF 負(fù)載）
• 1ns 典型延遲匹配
• 輸入上的絕對(duì)最大負(fù)電壓處理能力 （–5 V）
• HS 上的絕對(duì)最大負(fù)電壓處理能力 （–14 V）
• ±3A 峰值輸出電流
• 絕對(duì)最大啟動(dòng)電壓 120 V
• 禁用時(shí)電流消耗低 （7μA）
• 集成自舉二極管

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

UCC2-Q是一款A(yù)EC-Q0認(rèn)證的汽車級(jí)3-A、0-V半橋驅(qū)動(dòng)器，具備交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護(hù)和低開(kāi)關(guān)損耗。它適用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N通道MOSFET，在半橋或同步降壓配置中應(yīng)用廣泛。該驅(qū)動(dòng)器具有集成自舉二極管、高邊和低邊欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)、快速傳播延遲和高輸出電流能力。

二、主要特性

• ?AEC-Q認(rèn)證?：適用于汽車級(jí)應(yīng)用，溫度等級(jí)1（-°C至°C）。
• ?驅(qū)動(dòng)能力?：±-A峰值輸出電流，適用于大功率MOSFET。
• ?開(kāi)關(guān)性能?：-ns典型傳播延遲，-ns上升時(shí)間，0-ns下降時(shí)間（1.8-nF負(fù)載）。
• ?電壓范圍?：最大開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)（HS）電壓額定值為0 V，絕對(duì)最大負(fù)電壓處理能力（輸入端-5 V，HS端- V）。
• ?保護(hù)特性?：5-V典型UVLO，輸入互鎖，使能/禁用功能，集成自舉二極管。
• ?靈活性?：輸入獨(dú)立，允許TTL和CMOS控制信號(hào)；小型封裝，支持高密度設(shè)計(jì)。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• 汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器
• 電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)
• 車載充電器（OBC）
• 集成式起動(dòng)機(jī)發(fā)電機(jī)（iBSG）
• 汽車HVAC壓縮機(jī)模塊

四、功能描述

• ?獨(dú)立輸入?：兩個(gè)輸入信號(hào)完全獨(dú)立，允許對(duì)高邊和低邊MOSFET進(jìn)行獨(dú)立控制。
• ?電平移位?：高速、低功耗的電平移位器，提供從控制邏輯到高邊柵極驅(qū)動(dòng)器的干凈電平轉(zhuǎn)換。
• ?UVLO保護(hù)?：高邊和低邊驅(qū)動(dòng)級(jí)均包含UVLO保護(hù)電路，確保在電源電壓不足時(shí)不會(huì)開(kāi)啟輸出。
• ?輸出級(jí)?：具備高擺率、低電阻和高峰值電流能力的輸出級(jí)，適用于高效開(kāi)關(guān)MOSFET。
• ?輸入互鎖?：當(dāng)兩個(gè)輸入信號(hào)同時(shí)為高電平時(shí)，輸出被關(guān)斷，防止交叉?zhèn)鲗?dǎo)。
• ?使能/禁用功能?：通過(guò)EN引腳控制驅(qū)動(dòng)器的使能和禁用，降低禁用狀態(tài)下的功耗。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了UCC2-Q的典型應(yīng)用電路，包括設(shè)計(jì)要求和詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟，如選擇自舉電容和VDD電容、估計(jì)驅(qū)動(dòng)器功率損耗、選擇外部柵極電阻、考慮延遲和脈沖寬度、瞬態(tài)保護(hù)等。

六、電源推薦

推薦VDD電源電壓范圍為5.5 V至6 V，并建議使用低ESR陶瓷表面貼裝電容作為旁路電容，以支持高峰值電流并最小化電壓波動(dòng)。

七、布局指南

• ?電容放置?：低ESR電容應(yīng)盡可能靠近VDD和HB引腳放置，以支持高峰值電流。
• ?最小化寄生電感?：最小化高邊MOSFET源極和低邊MOSFET源極（同步整流器）之間的寄生電感。
• ?熱管理?：將熱焊盤連接到大型重銅平面以改善熱性能。