UCC27282 -Q1 是一款堅固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅動器,最大開關節點 (HS) 額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓撲中控制兩個 N 溝道 MOSFET。其 3A 峰值拉電流和灌電流以及低上拉和下拉電阻使 UCC27282 -Q1 能夠在 MOSFET 米勒平臺過渡期間以最小的開關損耗驅動大功率 MOSFET。由于輸入與電源電壓無關,因此 UCC27282 -Q1 可與模擬和數字控制器結合使用。
*附件:ucc27282-q1.pdf
輸入引腳和 HS 引腳能夠承受顯著的負電壓,從而提高系統穩健性。輸入互鎖進一步提高了高噪聲應用中的穩健性和系統可靠性。啟用和禁用功能通過降低驅動程序的功耗并響應系統內的故障事件,提供了額外的系統靈活性。5 V UVLO 允許系統在較低的偏置電壓下工作,這在許多高頻應用中是必需的,并且可以提高某些工作模式下的系統效率。小傳播延遲和延遲匹配規格最大限度地減少了死區時間要求,從而進一步提高了效率。
高壓側和低壓側驅動器級均提供欠壓鎖定 (UVLO),如果 VDD 電壓低于指定閾值,則強制輸出為低電平。集成的自舉二極管在許多應用中無需外部分立二極管,從而節省了電路板空間并降低了系統成本。UCC27282 -Q1 采用小型封裝,可實現高密度設計。
特性
- 符合 AEC-Q100 標準,結果如下
- 溫度等級 1 (T
j= –40°C 至 150°C) - HBM ESD 分類等級 1B
- 清潔發展機制 ESD 分類等級 C3
- 溫度等級 1 (T
- 在高側低側配置中驅動兩個 N 溝道 MOSFET
- 5V 典型欠壓鎖定
- 輸入聯鎖
- 啟用/禁用 DRC 包中的功能
- 16ns 典型傳播延遲
- 12ns 上升時間,10ns 下降時間(1.8nF 負載)
- 1ns 典型延遲匹配
- 輸入上的絕對最大負電壓處理能力 (–5 V)
- HS 上的絕對最大負電壓處理能力 (–14 V)
- ±3A 峰值輸出電流
- 絕對最大啟動電壓 120 V
- 禁用時電流消耗低 (7μA)
- 集成自舉二極管
參數
方框圖
一、產品概述
UCC2-Q是一款AEC-Q0認證的汽車級3-A、0-V半橋驅動器,具備交叉傳導保護和低開關損耗。它適用于驅動兩個N通道MOSFET,在半橋或同步降壓配置中應用廣泛。該驅動器具有集成自舉二極管、高邊和低邊欠壓鎖定(UVLO)保護、快速傳播延遲和高輸出電流能力。
二、主要特性
- ?AEC-Q認證?:適用于汽車級應用,溫度等級1(-°C至°C)。
- ?驅動能力?:±-A峰值輸出電流,適用于大功率MOSFET。
- ?開關性能?:-ns典型傳播延遲,-ns上升時間,0-ns下降時間(1.8-nF負載)。
- ?電壓范圍?:最大開關節點(HS)電壓額定值為0 V,絕對最大負電壓處理能力(輸入端-5 V,HS端- V)。
- ?保護特性?:5-V典型UVLO,輸入互鎖,使能/禁用功能,集成自舉二極管。
- ?靈活性?:輸入獨立,允許TTL和CMOS控制信號;小型封裝,支持高密度設計。
三、應用領域
四、功能描述
- ?獨立輸入?:兩個輸入信號完全獨立,允許對高邊和低邊MOSFET進行獨立控制。
- ?電平移位?:高速、低功耗的電平移位器,提供從控制邏輯到高邊柵極驅動器的干凈電平轉換。
- ?UVLO保護?:高邊和低邊驅動級均包含UVLO保護電路,確保在電源電壓不足時不會開啟輸出。
- ?輸出級?:具備高擺率、低電阻和高峰值電流能力的輸出級,適用于高效開關MOSFET。
- ?輸入互鎖?:當兩個輸入信號同時為高電平時,輸出被關斷,防止交叉傳導。
- ?使能/禁用功能?:通過EN引腳控制驅動器的使能和禁用,降低禁用狀態下的功耗。
五、典型應用
文檔提供了UCC2-Q的典型應用電路,包括設計要求和詳細設計步驟,如選擇自舉電容和VDD電容、估計驅動器功率損耗、選擇外部柵極電阻、考慮延遲和脈沖寬度、瞬態保護等。
六、電源推薦
推薦VDD電源電壓范圍為5.5 V至6 V,并建議使用低ESR陶瓷表面貼裝電容作為旁路電容,以支持高峰值電流并最小化電壓波動。
七、布局指南
- ?電容放置?:低ESR電容應盡可能靠近VDD和HB引腳放置,以支持高峰值電流。
- ?最小化寄生電感?:最小化高邊MOSFET源極和低邊MOSFET源極(同步整流器)之間的寄生電感。
- ?熱管理?:將熱焊盤連接到大型重銅平面以改善熱性能。
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