UCC27311A-Q1 是一款堅固耐用的柵極驅動器,設計用于驅動半橋或同步降壓配置中的兩個 N 溝道 MOSFET,絕對最大自舉電壓為 120V。其 3.7A 峰值拉電流和 4.5A 峰值灌電流能力使 UCC27311A-Q1 能夠在米勒平臺過渡期間以最小的開關損耗驅動大功率 MOSFET。開關節點 (HS 引腳) 可以處理負瞬態電壓,從而可以保護高側通道免受寄生電感和雜散電容引起的固有負電壓的影響。
*附件:ucc27311a-q1.pdf
輸入與電源電壓無關,能夠承受 -10V 和 +20V 的絕對最大額定值。低側和高側柵極驅動器在導通和關斷之間匹配 4ns,并分別通過 LI 和 HI 輸入引腳進行控制。片內 120V 額定電壓自舉二極管,無需添加分立式自舉二極管。高壓閉鎖 (UVLO) 適用于高壓側和低壓側驅動器,可提供對稱的導通和關斷行為,并在驅動電壓低于指定閾值時強制輸出為低電平。
特性
- 在半橋配置中驅動兩個 N 溝道 MOSFET
- 符合 AEC-Q100 標準,適用于汽車應用:
- 設備溫度等級 1
- –40°C 至 +150°C 結溫范圍
- HB 引腳上的最大電壓為 120V abs
- 3.7A 灌電流、4.5A 拉電流輸出電流
- 8V 至 17V VDD 工作范圍 (最大 20V 絕對值),帶 UVLO
- HS 引腳上的 –(28–VDD)V abs 最大負瞬態容差(<100ns 脈沖)
- –10V 至 +20V 絕對最大輸入引腳容差,與電源電壓范圍無關(TTL 兼容)
- 切換參數:
- 20ns 典型傳播延遲時間
- 7.2ns 上升時間,5.5ns 下降時間,1000pF 負載
- 4ns 典型延遲匹配
- 集成自舉二極管
- 禁用時具有低電流消耗(典型值為 3μA)的啟用/禁用功能
參數
方框圖
一、產品概述
二、主要特性
- ?驅動能力?:
- 驅動兩個N溝道MOSFET,半橋配置
- .A源電流,.A沉電流
- ?電壓范圍?:
- VDD工作范圍:V至V(絕對最大V)
- HB引腳絕對最大電壓:V
- HS引腳負瞬態電壓耐受:-(-VDD)V(
- 輸入引腳耐受電壓:-V至+V(獨立于供電電壓范圍)
- ?保護功能?:
- 欠壓鎖定(UVLO)
- 使能/禁用功能,禁用時低功耗(典型μA)
- 功能安全能力
- ?其他特性?:
- 典型傳播延遲:ns
- 上升/下降時間:.ns/.ns(pF負載)
- 延遲匹配:ns(典型)
- 集成V自舉二極管
三、電氣特性
- ?絕對最大額定值?:
- VDD、HB、VSS、HS引腳電壓范圍
- 輸入引腳(HI、LI、EN)電壓范圍
- 輸出引腳(HO、LO)電壓范圍
- ?推薦工作條件?:
- VDD電壓范圍:V至V
- HS電壓范圍:-V至V
- HB電壓范圍:VS+V至VS+V
- ?電氣參數?:
- 靜態電流:VDD靜態電流、HB靜態電流等
- 輸入閾值電壓:HI、LI輸入高/低閾值
- 使能閾值電壓:啟用/禁用閾值
- 輸出特性:HO、LO高/低電平輸出電壓,峰值拉/灌電流
四、保護功能
- ?UVLO保護?:監控VDD和HB電壓,低于閾值時關斷輸出
- ?熱關斷?:內部熱傳感器監測結溫,超過閾值時自動關斷
五、封裝與尺寸
- ?封裝類型?:VSON(DRC),引腳
- ?尺寸?:mm × mm(體尺寸)
六、應用信息
- ?典型應用?:半橋或同步降壓配置,驅動大功率MOSFET
- ?設計考慮?:包括輸入閾值類型、VDD偏置電壓、峰值源/沉電流、傳播延遲、功率耗散等
七、布局指導
- ?關鍵布局原則?:
- 驅動器盡可能靠近MOSFET
- VDD和GND、HB和HS電容靠近驅動器放置
- GND和HS節點處理
- 使用寬跡線,多過孔
- 避免輸入信號靠近高dV/dt跡線
八、文檔與支持
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