UCC27201A-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅動器包括一個 120V 自舉二極管和具有獨立輸入的高側/低側驅動器，可實現最大的控制靈活性。這允許在半橋、全橋、雙開關正激和有源鉗位正激轉換器中進行 N 溝道 MOSFET 控制。低側和高側柵極驅動器由獨立控制，并在彼此的導通和關斷之間匹配 1ns。為了提高在嘈雜電源環境中的性能，UCC27201A-Q1 的 HS 引腳能夠承受絕對最大 -18V。
*附件：ucc27201a-q1.pdf

片上自舉二極管消除了外部分立二極管。如果驅動電壓低于指定閾值，則為高側和低側驅動器提供欠壓鎖定，強制輸出為低電平。

UCC27201A-Q1 具有 TTL 兼容閾值，并采用帶導熱墊的 8 引腳 SOIC 封裝。

特性

• 符合 AEC-Q100 標準，適用于汽車應用：器件溫度等級 1
• –40°C 至 +150°C 結溫范圍
• HS 上的負電壓處理：-18V
• 在高側/低側配置中驅動兩個 N 溝道 MOSFET
• 最大啟動電壓：120V
• 最大 VDD 電壓：20V
• 片上 0.65V VF、0.65Ω RD 自舉二極管
• 22ns 傳播延遲時間
• 3A 灌電流、3A 拉電流輸出電流
• 1000pF 負載時，上升時間 7ns 下降時間
• 1ns 延遲匹配
• 用于高壓側和低壓側驅動器的欠壓鎖定
• 采用 8 引腳 PowerPad? SOIC-8 （DDA） 封裝

參數

方框圖

1. 產品概述

UCC1A-Q1是一款專為汽車應用設計的高頻N通道MOSFET半橋驅動器，具有AEC-Q資質。它能夠在-0°C至+°C的結溫范圍內工作，適用于各種汽車DC/DC轉換器、兩輪和三輪車的牽引驅動及電池組、電動助力轉向（EPS）、無線充電和智能玻璃模塊等應用。

2. 主要特性

• ?高電壓與電流能力?：最大自舉電壓達0V，最大VDD電壓為0V，提供3A的源電流和3A的灌電流。
• ?快速響應?：ns的傳播延遲時間，ns的上升時間和7ns的下降時間（pF負載），ns的延遲匹配。
• ?負電壓處理能力?：HS引腳可承受高達-8V的負電壓。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：高側和低側驅動器均具備UVLO功能，確保在電壓不足時輸出保持低電平。
• ?熱增強封裝?：采用8引腳PowerPad SOIC封裝，具有優異的熱性能。

3. 功能描述

3.1 輸入階段

• 輸入采用TTL兼容閾值，具有kΩ的標稱輸入阻抗和約pF的輸入電容。
• 輸入階段包含下拉電阻，提供低電壓和獨立于VDD的閾值電壓。

3.2 UVLO保護

• VDD和VHB至VHS的差分電壓均受UVLO監控，確保在電壓不足時關閉驅動器。
• VDD的UVLO閾值為7.1V，具有0.5V的遲滯；VHB的UVLO閾值為6.7V，具有0.4V的遲滯。

3.3 電平移位

• 電平移位電路實現高側輸入到高側驅動級的接口，提供與高側MOSFET柵極驅動電壓的電平匹配。

3.4 自舉二極管

• 內部集成自舉二極管，省去了外部離散二極管，提供快速恢復時間和低二極管電阻。

3.5 輸出階段

• 輸出階段具有高擺率、低電阻和高峰值電流能力，適用于高效切換功率MOSFET。

4. 應用指南

4.1 應用信息

• UCC1A-Q1適用于需要快速切換功率器件并減少切換功率損失的應用。
• 在數字電源應用中，驅動器將3.3V邏輯信號提升至柵極驅動電壓，以完全開啟功率器件并最小化導通損失。

4.2 典型應用

• 提供了典型應用電路圖，包括PWM控制器、驅動電路和隔離反饋等部分。
• 強調了布局的重要性，建議將驅動器盡可能靠近MOSFET放置，并使用寬跡線以減少寄生電感。

5. 電源建議

• 推薦使用.2μF至1.0μF的旁路電容連接VDD和VSS，以及.μF至.μF的旁路電容連接HB和HS。
• VDD的電壓范圍建議為V至V，以確保UVLO功能和避免超過絕對最大額定值。