UCC27200-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅動器包括一個 120V 自舉二極管以及具有獨立輸入的高側和低側驅動器，可實現最大的控制靈活性。這允許在半橋、全橋、雙開關正激和有源鉗位正激轉換器中實現 N 溝道 MOSFET 控制。低側和高側柵極驅動器由獨立控制，并在彼此的導通和關斷之間匹配 1ns。
*附件：ucc27200-q1.pdf

片上自舉二極管消除了外部分立二極管。高側和低側驅動器均提供欠壓鎖定，如果驅動電壓低于指定閾值，則強制輸出為低電平。

UCC27200-Q1 具有高抗噪性 CMOS 輸入閾值。

該器件采用 8 引腳 SO PowerPAD? （DDA） 封裝。

特性

• 符合 AEC-Q100 標準，適用于汽車應用：器件溫度等級 1
• –40°C 至 +150°C 結溫范圍
• 在高壓側和低壓側配置中驅動兩個 N 溝道 MOSFET
• 最大啟動電壓：120V
• 最大 VDD 電壓：20V
• 片上 0.65V VF、0.65Ω RD 自舉二極管
• 22ns 傳播延遲時間
• 3A 灌電流、3A 拉電流輸出電流
• 1000pF 負載時，上升時間 7ns 下降時間
• 1ns 延遲匹配

參數

方框圖

一、產品概述

1. 基本信息

• ?產品名稱?：UCC0-Q
• ?類型?：V, A/3A半橋驅動器
• ?應用?：汽車DC/DC轉換器、OBC、電動車牽引驅動、電動助力轉向、無線充電、智能玻璃模塊等

2. 主要特點

• ?AEC-Q認證?：適用于汽車應用
• ?高側和低側驅動?：獨立輸入，支持半橋、全橋等拓撲結構
• ?內部自舉二極管?：最大自舉電壓0V，減少外部元件
• ?高電流能力?：源電流和沉電流均為A
• ?快速響應?：ns傳播延遲，8ns上升時間，ns下降時間
• ?高噪聲免疫?：CMOS輸入閾值，提高系統穩定性

二、引腳配置與功能

1. 引腳配置

• ?VDD?：低側驅動電源正端
• ?HB?：高側自舉電源輸入
• ?HO?：高側驅動輸出
• ?HS?：高側源連接
• ?HI?：高側輸入
• ?LI?：低側輸入
• ?LO?：低側驅動輸出
• ?VSS?：負電源端，通常接地
• ?PowerPAD?：熱增強焊盤，電連接到VSS

2. 功能描述

• ?VDD?：為低側驅動電路供電
• ?HB?：通過自舉電容為高側驅動電路提供電源
• ?HI/LI?：控制高側和低側MOSFET的開關
• ?HO/LO?：分別驅動高側和低側MOSFET的柵極
• ?PowerPAD?：提高散熱性能，確保長期可靠性

三、電氣特性

1. 靜態特性

• ?工作電壓范圍?：VDD為V至V，HB最大0V
• ?輸入閾值?：高電平閾值約6V，低電平閾值約.V
• ?輸出電壓范圍?：LO和HO輸出分別相對于VSS和HS，可在一定范圍內調整

2. 動態特性

• ?傳播延遲?：典型值為ns
• ?上升/下降時間?：典型值分別為ns和7ns（負載pF）
• ?輸出電流?：峰值源電流和沉電流均為A

3. 保護特性

• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：VDD和HB電壓低于閾值時，輸出強制為低電平

四、應用與實現

1. 應用信息

• 適用于需要快速、可靠開關MOSFET的應用場景，特別是在高噪聲環境中

2. 典型應用

• 提供了在半橋配置中驅動N溝道MOSFET的典型應用電路圖

3. 設計要求

• 在選擇和設計電路時，需考慮輸入閾值、電源電壓、輸出電流、傳播延遲、PCB布局和散熱等因素

五、布局與熱考慮

1. 布局指南

• ?驅動靠近MOSFET?：減少寄生電感和噪聲
• ?旁路電容?：在VDD和HB引腳附近放置旁路電容，減少高頻噪聲
• ?地平面?：使用地平面提供噪聲屏蔽和散熱路徑

2. 熱考慮

• ?熱阻?：提供了不同封裝下的熱阻信息，幫助計算結溫
• ?散熱設計?：推薦使用PowerPAD封裝，并結合PCB上的熱過孔和散熱片，提高散熱性能

六、封裝與訂購信息

1. 封裝選項

• ? SO PowerPAD (DDA) ?：引腳熱增強型封裝，適合高功率密度應用

2. 訂購信息

• 提供了訂購信息，包括狀態、材料類型、封裝尺寸、載帶和卷盤信息、RoHS狀態等