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UCC27311A 具有 8V UVLO 和使能功能的 120V 4A 半橋驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-15 14:12 ? 次閱讀

UCC27311A 是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動器,設(shè)計用于驅(qū)動采用半橋或同步降壓配置的兩個 N 溝道 MOSFET,絕對最大自舉電壓為 120V。其 3.7A 峰值拉電流和 4.5A 峰值灌電流能力使UCC27311A能夠在米勒平臺過渡期間以最小的開關(guān)損耗驅(qū)動大功率 MOSFET。開關(guān)節(jié)點(diǎn) (HS 引腳) 可以處理負(fù)瞬態(tài)電壓,從而可以保護(hù)高側(cè)通道免受寄生電感和雜散電容引起的固有負(fù)電壓的影響。
*附件:ucc27311a.pdf

輸入與電源電壓無關(guān),能夠承受 -10V 和 +20V 的絕對最大額定值。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動器在導(dǎo)通和關(guān)斷之間匹配 4ns,并分別通過 LI 和 HI 輸入引腳進(jìn)行控制。片內(nèi) 120V 額定電壓自舉二極管,無需添加分立式自舉二極管。高壓閉鎖 (UVLO) 適用于高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動器,可提供對稱的導(dǎo)通和關(guān)斷行為,并在驅(qū)動電壓低于指定閾值時強(qiáng)制輸出為低電平。

特性

  • 在半橋配置中驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET
  • –40°C 至 +150°C 結(jié)溫范圍
  • HB 引腳上的最大電壓為 120V abs
  • 3.7A 灌電流、4.5A 拉電流輸出電流
  • 8V 至 17V VDD 工作范圍 (最大 20V 絕對值),帶 UVLO
  • HS 引腳上的 –(28–VDD)V abs 最大負(fù)瞬態(tài)容差(<100ns 脈沖)
  • –10V 至 +20V 絕對最大輸入引腳容差,與電源電壓范圍無關(guān)(TTL 兼容)
  • 切換參數(shù):
    • 20ns 典型傳播延遲時間
    • 7.2ns 上升時間,5.5ns 下降時間,1000pF 負(fù)載
    • 4ns 典型延遲匹配
  • 集成自舉二極管
  • 禁用時具有低電流消耗(典型值為 3μA)的啟用/禁用功能

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:UCCA
  • ?類型?:V, .A/.A半橋驅(qū)動器
  • ?特點(diǎn)?:具備V UVLO(欠壓鎖定)和使能功能
  • ?應(yīng)用?:適用于太陽能電源優(yōu)化器、微逆變器、電信和商用電源、在線和離線UPS、儲能系統(tǒng)、電池測試設(shè)備等

二、主要特性

  • ?驅(qū)動能力?:
    • 驅(qū)動兩個N溝道MOSFET,半橋或同步降壓配置
    • .A源電流,.A沉電流
  • ?電壓范圍?:
    • VDD工作范圍:V至V(絕對最大V)
    • HB引腳絕對最大電壓:V
    • HS引腳負(fù)瞬態(tài)電壓耐受:-(-VDD)V(
    • 輸入引腳耐受電壓:-V至+V(獨(dú)立于供電電壓范圍)
  • ?開關(guān)參數(shù)?:
    • 典型傳播延遲:ns
    • 上升/下降時間:.ns/.ns(pF負(fù)載)
    • 延遲匹配:ns(典型)
  • ?集成功能?:V自舉二極管,使能/禁用功能(禁用時低功耗)

三、電氣特性

  • ?絕對最大額定值?:定義了VDD、HI/LI輸入、EN輸入、LO/HO輸出、HS、HB等引腳的電壓范圍和工作結(jié)溫。
  • ?推薦工作條件?:包括VDD、HS、HB電壓范圍及操作結(jié)溫。
  • ?電氣參數(shù)?:
    • 靜態(tài)電流:包括VDD靜態(tài)電流、HB靜態(tài)電流等。
    • 輸入閾值電壓:HI、LI輸入的高/低閾值。
    • 使能閾值電壓:啟用/禁用閾值。
    • 輸出特性:LO、HO的高/低電平輸出電壓,峰值拉/灌電流。

四、保護(hù)功能

  • ?UVLO保護(hù)?:監(jiān)控VDD和HB電壓,低于閾值時關(guān)斷輸出。
  • ?熱關(guān)斷?:防止因過熱而損壞。

五、封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:VSON(DRC),引腳
  • ?尺寸?:mm × mm(體尺寸)

六、應(yīng)用信息

  • ?典型應(yīng)用?:半橋或同步降壓配置,驅(qū)動大功率MOSFET。
  • ?設(shè)計考慮?:包括輸入閾值類型、VDD偏置電壓、峰值源/沉電流、傳播延遲、功率耗散等。

七、布局指導(dǎo)

  • ?關(guān)鍵布局原則?:
    • 驅(qū)動器盡可能靠近MOSFET。
    • VDD和GND、HB和HS電容靠近驅(qū)動器放置。
    • 注意GND和HS節(jié)點(diǎn)的處理。
    • 使用寬跡線,多過孔。
    • 避免輸入信號靠近高dV/dt跡線。

八、文檔與支持

  • ?支持資源?:包括TI EE支持論壇、相關(guān)文檔鏈接、貿(mào)易標(biāo)記、靜電放電警告等。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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