UCC27289 是一款堅(jiān)固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器，最大開關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS） 額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓?fù)渲锌刂苾蓚€ N 溝道 MOSFET。其 3A 峰值拉電流和灌電流以及低上拉和下拉電阻使該UCC27289能夠在 MOSFET 米勒平臺轉(zhuǎn)換期間以最小的開關(guān)損耗驅(qū)動大功率 MOSFET。由于輸入與電源電壓無關(guān)，因此 UCC27289 可以與模擬和數(shù)字控制器結(jié)合使用。兩個 inputs 彼此完全獨(dú)立，因此如果需要，兩個 output 可以通過重疊的 inputs 重疊。啟用和禁用功能通過降低驅(qū)動程序的功耗并響應(yīng)系統(tǒng)內(nèi)的故障事件，提供了額外的系統(tǒng)靈活性。
*附件：ucc27289.pdf

輸入引腳和 HS 引腳能夠承受顯著的負(fù)電壓，從而提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。小傳播延遲和延遲匹配規(guī)格最大限度地減少了死區(qū)時間要求，從而提高了系統(tǒng)效率。

高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動器級均提供欠壓鎖定 （UVLO），如果 VDD 電壓低于指定閾值，則強(qiáng)制輸出為低電平。集成的自舉二極管在許多應(yīng)用中無需外部分立二極管，從而節(jié)省了電路板空間并降低了系統(tǒng)成本。UCC27289 提供多種封裝，以滿足系統(tǒng)要求，例如惡劣環(huán)境中的穩(wěn)健性和緊湊應(yīng)用中的密度。

特性

• 在高側(cè)低側(cè)配置中驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET
• 啟用/禁用 DRC 包中的功能
• 禁用時電流消耗低 （7μA）
• 16ns 典型傳播延遲
• 12ns 上升時間，10ns 下降時間，1800pF 負(fù)載（典型值）
• 1ns 典型延遲匹配
• 集成 100V 自舉二極管
• 8V 典型欠壓鎖定
• 輸入上的絕對最大負(fù)電壓處理能力 （–5 V）
• HS 上的絕對最大負(fù)電壓處理能力 （–14 V）
• ±3A 峰值輸出電流
• 絕對最大啟動電壓 120 V
• 輸入彼此獨(dú)立，VDD 獨(dú)立
• 兩個通道的欠壓鎖定
• 額定結(jié)溫范圍為 –40°C 至 140°C

參數(shù)

一、產(chǎn)品概述

UCC是一款高性能半橋驅(qū)動器，專為驅(qū)動兩個N溝道MOSFET設(shè)計(jì)，適用于高側(cè)和低側(cè)配置。它集成了一系列先進(jìn)功能，如使能/禁用功能、低電流消耗、快速傳播延遲和匹配的延遲特性，以及內(nèi)置的V自舉二極管。UCC特別適合于需要高效率和緊湊設(shè)計(jì)的電源管理應(yīng)用，如商用網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器電源、電信整流器、DC輸入BLDC電機(jī)驅(qū)動和太陽能微逆變器等。

二、主要特性

• ?驅(qū)動能力?：±A的峰值輸出電流，適用于驅(qū)動大功率MOSFET。
• ?低電流消耗?：禁用模式下僅消耗μA電流，有助于降低系統(tǒng)功耗。
• ?快速傳播延遲?：典型傳播延遲為ns，匹配延遲為ns，有助于減少死區(qū)時間，提高系統(tǒng)效率。
• ?高共模瞬態(tài)免疫?：增強(qiáng)了對噪聲的抵抗能力，提高了系統(tǒng)的可靠性。
• ?寬電壓范圍?：輸入電壓范圍從-V到VDD，高側(cè)電壓可承受-V的負(fù)電壓，增加了系統(tǒng)的魯棒性。
• ?集成自舉二極管?：消除了對外部自舉二極管的需求，節(jié)省了板上空間并降低了系統(tǒng)成本。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• 商用網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器電源
• 商用電信整流器
• DC輸入BLDC電機(jī)驅(qū)動
• 太陽能微逆變器
• 測試和測量設(shè)備

四、功能描述

. 使能/禁用功能

• 通過EN引腳控制驅(qū)動器的使能/禁用狀態(tài)，禁用模式下顯著降低功耗。

. 輸入獨(dú)立性

• 高側(cè)和低側(cè)輸入完全獨(dú)立，允許兩個輸出在需要時重疊，增加了控制的靈活性。

. 欠壓鎖定（UVLO）

• 對高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動級均提供UVLO保護(hù)，確保在供電電壓不足時輸出保持低電平，防止功率器件誤動作。

. 自舉二極管

• 內(nèi)置V自舉二極管，簡化了外部電路設(shè)計(jì)，節(jié)省了空間。

. 傳播延遲和匹配

• 快速的傳播延遲和緊密匹配的延遲特性，有助于減少死區(qū)時間，提高系統(tǒng)效率。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了UCC在驅(qū)動半橋配置中的N溝道MOSFET的典型應(yīng)用電路圖，并詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟，包括自舉電容和VDD電容的選擇、外部自舉二極管和串聯(lián)電阻的考慮、驅(qū)動器功率損耗的估算、外部柵極電阻的選擇、延遲和脈沖寬度的考慮、VDD和輸入濾波器的設(shè)計(jì)以及瞬態(tài)保護(hù)措施等。

六、電源推薦

• 推薦使用V至V的供電電壓，具體取決于應(yīng)用需求。
• 強(qiáng)調(diào)了在VDD和HB引腳上添加旁路電容的重要性，以減小電壓波動并濾除高頻噪聲。

七、布局指南

• 提供了詳細(xì)的PCB布局指南，包括低ESR/ESL電容的放置、地平面和電源平面的處理、熱墊的連接以及接地考慮等，以確保最佳性能和可靠性。