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LM5100B 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 2A、100V 半橋柵極驅動器數據手冊

科技綠洲 ? 2025-05-21 13:37 ? 次閱讀
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LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅動器設計用于驅動 采用同步降壓或半橋配置的高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET。 浮動高壓側驅動器能夠在高達 100 V 的電源電壓下工作。The A 版本提供完整的 3A 柵極驅動,而 B 和 C 版本提供 2 A 和 1A、 分別。輸出由 CMOS 輸入閾值 (LM5100A/B/C) 或 TTL 輸入閾值 (LM5101A/B/C)。
*附件:lm5100b.pdf

提供集成高壓二極管,用于為高側柵極驅動自舉充電 電容器。堅固的電平轉換器以高速運行,同時功耗低,并提供 從 Control Logic 到 Highside 柵極驅動器的 Clean Level 轉換。欠壓鎖定 在低側和高側電源軌上均提供。這些設備在 標準 SOIC-8 引腳、SO PowerPAD-8 引腳和 WSON-10 引腳封裝。LM5100C 和 LM5101C 是 還提供 MSOP-PowerPAD-8 封裝。LM5101A 還提供 WSON-8 引腳 包。

特性

  • 驅動高側和低側 N 溝道
    MOSFET
  • 獨立的高電平和低電平驅動器邏輯輸入
  • 自舉電源電壓高達 118 V DC
  • 快速傳播時間(典型值為 25ns)
  • 以 8ns 的上升和下降
    時間驅動 1000pF 負載
  • 出色的傳播延遲匹配(典型值為 3ns
  • 電源軌欠壓鎖定
  • 低功耗
  • 引腳兼容 HIP2100/HIP2101

參數
image.png

方框圖
image.png

一、產品概述

LM0B 是一款高電壓、高側和低側柵極驅動器,設計用于驅動同步降壓或半橋配置中的高側和低側N溝道MOSFET。該驅動器提供A的峰值輸出電流,并具有獨立的CMOS輸入閾值。

二、主要特性

  • ?高電壓能力?:支持高達V的供電電壓。
  • ?獨立控制?:高低側輸出獨立控制,具有CMOS輸入閾值。
  • ?快速傳播時間?:典型值為5ns,提供高速開關性能。
  • ?低功率消耗?:在正常工作條件下功耗較低。
  • ?欠壓鎖定保護?:高低側電源均具有欠壓鎖定功能,確保穩定工作。
  • ?集成自舉二極管?:內置二極管用于高側柵極驅動電容的充電。

三、引腳配置與功能

  • ?VDD?:正電源輸入。
  • ?HB?:高側自舉電源輸入。
  • ?HS?:高側MOSFET源極連接和自舉電容負極。
  • ?HO?:高側柵極驅動器輸出。
  • ?LO?:低側柵極驅動器輸出。
  • ?VSS?:負電源終端(地)。
  • ?HI?:高側輸入,控制HO輸出。
  • ?LI?:低側輸入,控制LO輸出。

四、電氣特性

  • ?工作電壓范圍?:VDD為V至V,HB最高可達V。
  • ?輸入閾值?:CMOS兼容輸入,具體閾值詳見數據表。
  • ?輸出電流?:峰值輸出電流為2A。
  • ?傳播延遲?:LO和HO的關斷和開啟傳播延遲典型值為ns至ns。
  • ?欠壓鎖定閾值?:VDD和HB的欠壓鎖定閾值和遲滯詳見數據表。

五、功能描述

  • ?欠壓鎖定?:確保在供電電壓不足時禁止輸出,保護電路免受損壞。
  • ?電平移位?:實現高側輸入與高側驅動器級之間的電平轉換。
  • ?自舉二極管?:為高側柵極驅動提供必要的偏置電壓。
  • ?輸出階段?:具有低電阻和高轉換速率,支持高效MOSFET開關。

六、應用信息

  • ?典型應用?:適用于同步降壓轉換器、半橋和全橋功率轉換器等。
  • ?設計要點?:包括自舉電容和VDD電容的選擇、柵極驅動電阻的選取以及布局考慮等。
  • ?功耗估計?:提供了估算驅動器功耗的方法和公式。

七、封裝與訂購信息

  • ?封裝類型?:提供多種封裝選項,如SOIC、PowerPAD SOIC、WSON等。
  • ?訂購代碼?:詳細列出了不同封裝和狀態的訂購代碼。
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