LM5102 高壓柵極驅動器設計用于在同步降壓或半橋配置中驅動高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET。浮動高壓側驅動器能夠在高達 100 V 的電源電壓下工作。輸出是獨立控制的。每個輸出的上升沿可以通過編程電阻器獨立延遲。提供了一個集成的高壓二極管，用于為高壓側柵極驅動自舉電容器充電。穩健的電平轉換器以高速運行，同時功耗低，并提供從控制邏輯到高端柵極驅動器的干凈電平轉換。低側和高側電源軌均提供欠壓鎖定功能。該器件采用標準 VSSOP 10 引腳和 WSON 10 引腳封裝。
*附件：lm5102.pdf

特性

• 驅動高側和低側 N 溝道 MOSFET
• 可獨立編程的高側和低側上升沿延遲
• 自舉電源電壓范圍高達 118 V 直流
• 快速關斷傳播延遲（典型值為 25 ns）
• 以 15ns 的上升和下降時間驅動 1000pF 負載
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 定時器可以在序列中途終止

參數

方框圖

一、產品概述

LM2是一款高壓半橋柵極驅動器，設計用于驅動同步降壓配置或半橋配置中的高側和低側N溝道MOSFET。該驅動器具有獨立可編程的高側和低側上升沿延遲，以及高達0V的浮動高側驅動能力。

二、主要特性

• ?獨立可編程延遲?：高側和低側輸出的上升沿延遲可獨立編程。
• ?高壓能力?：支持高達0V的供電電壓。
• ?快速關斷傳播延遲?：典型值為5ns。
• ?集成高壓二極管?：用于為高側柵極驅動自舉電容充電。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：保護低側和高側電源軌。
• ?低功耗?：設計用于提高輕載效率。

三、引腳功能

• ?VDD?：正柵極驅動供電。
• ?HB?：高側柵極驅動器自舉軌。
• ?HO?：高側柵極驅動器輸出。
• ?HS?：高側MOSFET源極連接。
• ?LO?：低側柵極驅動器輸出。
• ?VSS?：地返回。
• ?LI?：低側驅動控制輸入。
• ?HI?：高側驅動控制輸入。
• ?RT?：高側輸出上升沿延遲編程電阻。
• ?RT?：低側輸出上升沿延遲編程電阻。
• ?NC?：未連接引腳。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VDD為V至V。
• ?UVLO閾值?：VDD的欠壓鎖定閾值為.V至7.4V。
• ?輸入閾值?：低電平輸入電壓閾值為.V至1.8V，高電平輸入電壓閾值為2.2V。
• ?輸出特性?：高側和低側柵極驅動器具有高電平輸出電流和低電平輸出電流能力，峰值電流可達1.6A和.A。

五、功能描述

• ?獨立可編程延遲?：通過RT和RT2引腳上的外部電阻，可以獨立設置高側和低側輸出的上升沿延遲。
• ?啟動和UVLO?：UVLO電路確保在供電電壓足夠之前不會啟用驅動器輸出。
• ?定時器終止功能?：如果RT引腳被拉低到定時器消除閾值（典型值為.V）以下，則繞過上升沿延遲。

六、應用信息

• ?典型應用?：包括同步降壓轉換器、半橋和全橋功率轉換器、電流饋電推挽功率轉換器等。
• ?設計指南?：提供了自舉電容選擇、延遲時間設置、布局和熱管理等方面的設計建議。

七、布局與熱管理

• ?布局指南?：推薦使用低ESR/ESL電容靠近IC，并保持短而寬的接地路徑以減少寄生電感和電阻。RT引腳上的電阻應靠近IC放置，以避免噪聲耦合。
• ?熱管理?：通過估算最壞情況下的結溫來確保可靠的長期操作，利用暴露的熱焊盤進行有效散熱。

八、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：提供VSSOP（引腳）和WSON（引腳）封裝選項。
• ?訂購代碼?：包括不同封裝選項的訂購代碼，如LMMM/NOPB（VSSOP封裝）和LM2SD/NOPB（WSON封裝）。

九、文檔與支持

• ?相關文檔?：包括數據手冊、應用指南等。
• ?社區資源?：提供TI的EE在線社區鏈接，方便用戶交流問題和經驗。
• ?安全警示?：提醒用戶注意靜電放電（ESD）防護和其他安全事項。