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LM5104系列 具有 8V UVLO 和自適應(yīng)延遲的 2A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-21 16:47 ? 次閱讀

LM5104 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器旨在驅(qū)動(dòng)高側(cè)和 采用同步降壓配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高邊驅(qū)動(dòng)器可以 可在高達(dá) 100 V 的電源電壓下工作。高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器由 單個(gè) input。狀態(tài)的每次變化都以自適應(yīng)方式進(jìn)行控制,以防止擊穿 問題。除了自適應(yīng)過渡時(shí)序之外,還可以添加額外的延遲時(shí)間, 與外部設(shè)置電阻器成比例。提供集成高壓二極管 對(duì)高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)自舉電容器充電。堅(jiān)固的電平轉(zhuǎn)換器高速運(yùn)行 同時(shí)功耗低,并提供從控制邏輯到 高端柵極驅(qū)動(dòng)器。低側(cè)和高側(cè)均提供欠壓鎖定 電源軌。該器件采用標(biāo)準(zhǔn) SOIC 和 WSON 封裝。
*附件:lm5104.pdf

特性

  • 驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET
  • 具有可編程
    附加延遲的自適應(yīng)上升沿和下降沿
  • 單輸入控制
  • 自舉電源電壓范圍高達(dá) 118V DC
  • 快速關(guān)斷傳播延遲(典型值為 25ns)
  • 以 15ns 的上升和下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載
  • 電源軌欠壓鎖定
  • SOIC 和 WSON-10 4mm × 4mm 封裝

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

LM是一款高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器具有自適應(yīng)上升和下降邊緣,可編程附加延遲,以及高達(dá)V的浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)能力。

二、主要特性

  • ?高壓能力?:支持高達(dá)V的供電電壓。
  • ?自適應(yīng)延遲?:防止高側(cè)和低側(cè)MOSFET同時(shí)導(dǎo)通(射通)。
  • ?可編程延遲?:通過外部電阻設(shè)置附加延遲時(shí)間。
  • ?集成高壓二極管?:用于為高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)自舉電容充電。
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:保護(hù)低側(cè)和高側(cè)電源軌。
  • ?快速關(guān)斷傳播延遲?:典型值為ns。
  • ?單輸入控制?:高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器由單個(gè)輸入控制。

三、引腳功能

  • ?VDD?:正柵極驅(qū)動(dòng)供電。
  • ?HB?:高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器自舉軌。
  • ?HO?:高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出。
  • ?HS?:高側(cè)MOSFET源極連接。
  • ?LO?:低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出。
  • ?VSS?:地返回。
  • ?IN?:控制輸入。
  • ?RT?:死區(qū)時(shí)間編程引腳。
  • ?NC?:未連接引腳。

四、電氣特性

  • ?工作電壓范圍?:VDD為V至V,HB為VS+V至VS+V。
  • ?UVLO閾值?:VDD的欠壓鎖定閾值為.V至.V,HB的欠壓鎖定閾值為.V至.V。
  • ?輸入閾值?:低電平輸入電壓閾值為.V至.V,高電平輸入電壓閾值為.V至.V。
  • ?輸出特性?:高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器具有高電平輸出電流和低電平輸出電流能力,峰值電流可達(dá).A和.A。

五、功能描述

  • ?自適應(yīng)射通保護(hù)?:通過監(jiān)測(cè)低側(cè)柵極電壓并在適當(dāng)時(shí)間啟用高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng),防止射通。
  • ?啟動(dòng)和UVLO?:UVLO電路確保在供電電壓足夠之前不會(huì)啟用驅(qū)動(dòng)器輸出。
  • ?可編程死區(qū)時(shí)間?:通過RT引腳上的外部電阻設(shè)置死區(qū)時(shí)間,防止高側(cè)和低側(cè)MOSFET同時(shí)導(dǎo)通。

六、應(yīng)用信息

  • ?典型應(yīng)用?:包括電流饋電推挽功率轉(zhuǎn)換器、高壓降壓調(diào)節(jié)器、有源鉗位正向功率轉(zhuǎn)換器等。
  • ?設(shè)計(jì)指南?:提供了自舉電容選擇、死區(qū)時(shí)間設(shè)置、布局和熱管理等方面的設(shè)計(jì)建議。

七、布局與熱管理

  • ?布局指南?:推薦使用低ESR/ESL電容靠近IC,并保持短而寬的接地路徑以減少寄生電感和電阻。
  • ?熱管理?:通過估算最壞情況下的結(jié)溫來確保可靠的長期操作,利用暴露的熱焊盤進(jìn)行有效散熱。

八、封裝與訂購信息

  • ?封裝類型?:提供SOIC(引腳)和WSON(引腳)封裝選項(xiàng)。
  • ?訂購代碼?:包括不同封裝選項(xiàng)的訂購代碼,如LMM/NOPB(SOIC封裝)和LMSD/NOPB(WSON封裝)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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