LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅動器設計用于驅動 采用同步降壓或半橋配置的高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET。 浮動高壓側驅動器能夠在高達 100 V 的電源電壓下工作。The A 版本提供完整的 3A 柵極驅動，而 B 和 C 版本提供 2 A 和 1A、 分別。輸出由 CMOS 輸入閾值 （LM5100A/B/C） 或 TTL 輸入閾值 （LM5101A/B/C）。

提供集成高壓二極管，用于為高側柵極驅動自舉充電 電容器。堅固的電平轉換器以高速運行，同時功耗低，并提供 從 Control Logic 到 Highside 柵極驅動器的 Clean Level 轉換。欠壓鎖定 在低側和高側電源軌上均提供。這些設備在 標準 SOIC-8 引腳、SO PowerPAD-8 引腳和 WSON-10 引腳封裝。LM5100C 和 LM5101C 是 還提供 MSOP-PowerPAD-8 封裝。LM5101A 還提供 WSON-8 引腳 包。
*附件：lm5101b.pdf

特性

• 驅動高側和低側 N 溝道
  MOSFET
• 獨立的高電平和低電平驅動器邏輯輸入
• 自舉電源電壓高達 118 V DC
• 快速傳播時間（典型值為 25ns）
• 以 8ns 的上升和下降
  時間驅動 1000pF 負載
• 出色的傳播延遲匹配（典型值為 3ns
  ）
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 引腳兼容 HIP2100/HIP2101

參數

方框圖

一、產品概述

LMB 是一款高電壓、高速半橋N溝道MOSFET驅動器，提供A的柵極驅動電流。該驅動器適用于同步降壓轉換器、半橋和全橋功率轉換器等應用，具有獨立的高低側輸入和TTL兼容輸入閾值。

二、主要特性

• ?高電壓能力?：支持高達V的自舉供電電壓。
• ?高速性能?：傳播時間典型值為ns，具有優秀的延遲匹配。
• ?獨立輸入?：高低側驅動器具有獨立輸入，TTL兼容閾值。
• ?高驅動能力?：提供A的峰值輸出電流。
• ?低功耗?：在輕載條件下具有較低的靜態電流。
• ?欠壓鎖定保護?：高低側電源均具有欠壓鎖定保護功能。
• ?集成自舉二極管?：內置高電壓二極管，用于高側柵極驅動電容的充電。

三、引腳配置與功能

• ?VDD?：正電源輸入，為低側驅動器供電。
• ?HB?：高側自舉電源輸入，連接自舉電容的正極。
• ?HS?：高側源連接，連接高側MOSFET的源極和自舉電容的負極。
• ?HO?：高側柵極驅動器輸出，連接高側MOSFET的柵極。
• ?LI?：低側輸入，控制低側柵極驅動器的輸出。
• ?LO?：低側柵極驅動器輸出，連接低側MOSFET的柵極。
• ?VSS?：負電源終端，通常接地。
• ?HI?：高側輸入，控制高側柵極驅動器的輸出。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VDD為V至V，HB最高可達V。
• ?輸入閾值?：TTL兼容輸入，高電平輸入閾值典型值為.V至.V，低電平輸入閾值典型值為.V至.V。
• ?輸出特性?：低電平輸出電壓（VOL/LOL）和高電平輸出電壓（VOH/HOH）分別取決于VDD和VHB。
• ?傳播延遲?：典型值為ns至ns。
• ?欠壓鎖定閾值?：VDD UVLO閾值典型值為.V，具有.V遲滯；HB UVLO閾值典型值為.V，具有.V遲滯。

五、功能描述

• ?欠壓鎖定?：高低側電源均具有獨立的欠壓鎖定保護，確保在供電電壓不足時禁止輸出。
• ?電平移位?：高側輸入與高側驅動器級之間的電平移位電路，實現與高側MOSFET的有效接口。
• ?自舉二極管?：內置高電壓二極管，用于為高側柵極驅動電容充電。
• ?輸出階段?：高轉換速率、低電阻的輸出驅動器，支持高效MOSFET開關。

六、應用信息

• ?典型應用?：適用于同步降壓轉換器、半橋和全橋功率轉換器、兩開關正向轉換器以及有源鉗位正向轉換器等。
• ?設計考慮?：包括自舉電容和VDD電容的選擇、外部自舉二極管和電阻的考慮、柵極驅動電阻的選擇以及驅動器功耗的估計等。
• ?布局指南?：強調了驅動器IC和被動元件的布局原則，以減少寄生電感和提高電路性能。

七、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：提供多種封裝選項，包括SOIC、PowerPAD SOIC、WSON等。
• ?訂購信息?：詳細列出了不同封裝和狀態的訂購代碼，以及相關的封裝尺寸和帶卷信息。

八、文檔與支持

• ?相關文檔?：提供了應用筆記、熱指標應用報告等相關文檔的鏈接。
• ?支持資源?：鏈接到TI的EE在線支持論壇，用戶可以在此獲取技術支持和設計幫助。