三星電子DS部門傳來重磅消息,負責人慶桂顯宣布,公司計劃于今年底至明年初推出全新AI芯片Mach-1。這款備受矚目的芯片已完成基于FPGA的技術驗證,正邁向SoC設計的關鍵階段。預計Mach-1芯片將于今年底完成制造,并于明年初正式推出基于其的AI系統。
Mach-1芯片采用非傳統結構設計,將片外內存與計算芯片間的瓶頸降低至現有AI芯片的1/8,這一突破將極大地提升AI運算效率。更值得一提的是,Mach-1芯片摒棄了當前緊俏且昂貴的HBM內存,轉而選用更為經濟實用的LPDDR內存,這一決策不僅降低了生產成本,更展現了三星在AI技術領域的創新實力。
業內專家普遍認為,三星Mach-1芯片的推出將有望引領AI技術的新一輪革新,為人工智能領域的發展注入新的活力。隨著該芯片的正式亮相,我們期待看到更多基于Mach-1芯片的AI應用涌現,共同推動人工智能技術的快速發展。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
FPGA
+關注
關注
1643文章
21983瀏覽量
614574 -
三星電子
+關注
關注
34文章
15885瀏覽量
182163 -
AI芯片
+關注
關注
17文章
1971瀏覽量
35709
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
三星在4nm邏輯芯片上實現40%以上的測試良率
較為激進的技術路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據韓媒《ChosunBiz》當地時間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內存邏輯芯片的初步測試生產中取得了40
發表于 04-18 10:52
三星Galaxy S25系列搭載美光LPDDR5X內存和UFS 4.0
且能夠感知語境的移動AI體驗。此外,美光已首次向市場出貨能效領先的LPDDR5X內存,其功耗降低幅度超過 10%。1借助全新的One UI 7系統,
三星電子1c nm內存開發良率里程碑推遲
據韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內存開發的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將
三星或受內存芯片價格下跌影響
近日,信榮證券分析師Park Sang-wook對三星電子的未來前景表達了擔憂。他預測,由于客戶庫存過剩,三星電子在2025年上半年可能會面臨內存芯片價格下跌的挑戰。 Park指出,盡
英偉達加速認證三星AI內存芯片
近日,英偉達公司正在積極推進對三星AI內存芯片的認證工作。據英偉達CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進程,旨在盡快將三星的
三星電子計劃新建封裝工廠,擴產HBM內存
三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導體封裝工廠,以擴大HBM內存等產品的后端產能。該工廠將依托現有封裝設施,進一步提升三星電子在半導體領域的生產能力。
三星擴建半導體封裝工廠,專注HBM內存生產
方式獲得三星顯示的一座大樓,并計劃在三年內完成該建筑的半導體后端加工設備導入。 此次擴建工廠的背景是,三星正在為微軟和Meta等科技巨頭供應量身定制的HBM4內存。微軟和Meta分別
三星電子計劃大幅削減芯片高管職位并重組業務
近日,三星電子被曝出計劃對其芯片高管職位進行大幅削減,并著手重組半導體相關業務。據相關消息稱,三星電子正在對其設備解決方案(DS)部門下的內存
三星電子計劃在2026年推出最后一代10nm級工藝1d nm
三星電子在最新的內存產品路線圖中透露了未來幾年的技術布局。據透露,三星計劃在2024年率先推出基
三星LPDDR4X車載內存通過高通汽車模組驗證
三星電子近日宣布了一項重要進展,其專為高級車載信息娛樂系統(IVI)及高級駕駛輔助系統(ADAS)設計的LPDDR4X車載內存已成功通過高通最新驍龍數字底盤平臺的嚴格驗證。這一成就不僅標志著三
消息稱三星電子與Naver將結束AI加速芯片開發合作
據韓國媒體最新報道,三星電子與韓國互聯網巨頭Naver在AI加速器開發領域的合作關系即將迎來重大轉折。雙方共同研發的Mach-1芯片即將面世,而這也意味著雙方長達一段時間的緊密合作將在
三星開始量產其最薄LPDDR5X內存產品,助力端側AI應用
低功耗內存市場的地位。 三星LPDDR5X DRAM 憑借在芯片封裝領域豐富的技術經驗,三星可提
三星電子計劃2025~2026年推出LP Wide I/O內存
在半導體技術的持續演進中,三星電子再次展現了其行業領導者的地位,通過其2024年異構集成路線圖,向全球揭示了一款革命性的新型移動內存——LP Wide I/O。這款內存的問世,預示著移
評論