意法半導體（ST）近日宣布，公司成功研發出基于18納米全耗盡絕緣體上硅（FD-SOI）技術，并整合了嵌入式相變存儲器（ePCM）的先進制造工藝。這項新工藝技術是意法半導體與三星晶圓代工廠共同研發的成果，旨在推動下一代嵌入式處理器的升級進化。

據悉，該新工藝技術不僅實現了嵌入式處理應用性能和功耗的巨大飛躍，而且能夠集成更大容量的存儲器和更多的模擬及數字外設，為嵌入式系統的設計和應用帶來了更廣闊的可能性。

基于這項新技術的下一代STM32微控制器的首款產品將于2024年下半年開始向部分客戶提供樣片，預計于2025年下半年正式投入生產。這一舉措無疑將加速嵌入式處理器市場的發展，為相關行業帶來更多創新和機遇。

此次意法半導體的新工藝技術的發布，再次證明了公司在半導體領域的強大研發實力和技術創新能力。未來，我們期待意法半導體能夠繼續推出更多具有創新性和實用性的產品，為半導體行業的發展注入更多動力。