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硅單晶不同晶向下的不同位錯表現介紹

中科院半導體所 ? 來源:晶格半導體 ? 2024-04-03 10:08 ? 次閱讀

本文介紹了硅單晶不同晶向下的不同位錯表現。

<111>晶向:位錯腐蝕坑的形狀主要呈三角形腐蝕坑

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<100>晶向:位錯腐蝕坑的形狀主要呈正方形腐蝕坑

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<110>晶向:位錯腐蝕坑的形狀主要呈立方體腐蝕坑

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在硅單晶面上,不同的腐蝕劑和不同的腐蝕時間也會影響位錯坑的狀態。下圖是<111>面腐蝕坑,由三角行的變成圓形的凹坑。其主要原因是因為腐蝕劑和腐蝕時間的不同使得晶體中各個方向的腐蝕速度不同造成的。

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審核編輯:劉清
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原文標題:硅單晶不同晶向下的位錯表現

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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