據悉，英特爾日前舉行了一次關于其代工業(yè)務的網絡研討會，其中以為何展現數據中心部門從財務角度看獨立性，以及展示英特爾未來代工技術的發(fā)展路徑為主題。

根據制程工藝規(guī)劃，英特爾計劃在未來重新成為頂尖代工廠，并在18A節(jié)點擁有主導地位，同時在已經到來的14A節(jié)點取得領先優(yōu)勢。

在功耗方面，現有的Intel 7節(jié)點處于劣勢，然而英特爾預計在即將到來的Intel 3節(jié)點追平行業(yè)領跑者（臺積電），并在18A節(jié)點超越其他競爭對手，且在14A節(jié)點保住優(yōu)勢。

Density方面，現行的Intel 7節(jié)點相比同行表現不佳，但英特爾正在通過Intel 3節(jié)點縮小這個差距，并計劃在18A節(jié)點趕超其他對手，最后在14A節(jié)點實現較小優(yōu)勢。

英特爾也坦承，Intel 7節(jié)點的制造成本現在相對較高，不過他們期待通過跨越Intel 3至14A這些節(jié)點，來降低晶圓成本。

基于AI處理的市場需求，未來幾年英特爾計劃進軍更大的代工蛋糕，包括能夠在14A節(jié)點進行移動設備的代工生產。

英特爾還強調他們將逐步彌補傳統IDM模式下設計支持的短板，使其向業(yè)內平均水平靠近。

另外，未來幾年內，我們將看到英特爾在包括2.5D/3D在內的先進封裝技術方面的顯著進展。

英特爾指出，他們作為迎接人工智能時代的系統代工廠，將會通過全面的技術創(chuàng)新，持續(xù)推進摩爾定律的發(fā)展。

在實現技術目標的過程中，英特爾不僅投入了大量資源加強硅光子學的研究，而且還在PCIe和SerDes領域不斷豐富自己的技術儲備。

同樣重要的是，英特爾正在探索內核功率達到驚人的1000瓦的芯片散熱方案，并計劃在2030年前實現對2000瓦的芯片進行有效冷卻。

在極端情況下，英特爾甚至做好了同時連接8個HBM堆棧的準備，并表示未來可能會將這一能力提升至12個或以上；此外，他們還在研究探索全新的存儲技術。

關于Foveros 3D Direct高級封裝技術，英特爾的目標是在約2027年實現4微米的連接精度。

此外，英特爾還透露了其玻璃基板應用的具體時間表，預計這項技術會在2027年得到廣泛應用，比業(yè)界普遍預期的2026年稍晚一些。