據(jù)天眼查披露，江蘇捷捷微電子股份有限公司已成功取得“一種帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的屏蔽柵IGBT”專利技術(shù)的公開授權(quán)。這項(xiàng)專利于2024年3月26日正式注冊(cè)，編號(hào)為CN117766576A。

主體涉及半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域，主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)在于研發(fā)了一款具備超結(jié)結(jié)構(gòu)的屏蔽柵IGBT。產(chǎn)品主要由第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底、前設(shè)元胞以及至少包含一個(gè)深溝槽的屏蔽柵結(jié)構(gòu)等組成立體結(jié)構(gòu)形態(tài)。深溝槽周圍布設(shè)有離子注入?yún)^(qū)和接觸孔。在深溝槽之下的超結(jié)結(jié)構(gòu)電荷平衡區(qū)內(nèi)，包含了兩層面及兩層面以上第一導(dǎo)電類型與第二導(dǎo)電類型的復(fù)合層疊結(jié)構(gòu)。此獨(dú)特之處還在于，外層有兩層不同導(dǎo)電類型的結(jié)構(gòu)，而最內(nèi)層的為第二導(dǎo)電類型，該結(jié)構(gòu)環(huán)繞在深溝槽外側(cè)。同時(shí)，兩層之間的外層部分包圍在內(nèi)側(cè)部分之外，且其頂部屈居內(nèi)側(cè)頂部之下。這種特殊的造型設(shè)計(jì)，大大提升了IGBT的穩(wěn)定性和低功耗特性。