微型逆變器作為光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心組件，其性能與功率器件的選型密切相關。捷捷微電針對不同功率需求，提供了基于MOSFET和IGBT的多樣化解決方案。本文結合兩種典型架構，分析其器件選型特點及適用場景。

寬功率范圍（250W-2000W）

架構1采用MOSFET實現(xiàn)高效調制，覆蓋功率范圍廣，支持反激拓撲等設計。關鍵器件參數(shù)如下：

特點：

高壓MOSFET（650V）：如JMH65R系列，支持高功率密度設計，適用于調制電路。

低壓低阻MOSFET（150V）：如JMSH15系列，導通電阻低至9.9mΩ，優(yōu)化反激拓撲效率。

針對高功率段（>800W），架構1引入IGBT以降低導通損耗，提升系統(tǒng)可靠性：

特點：

高耐壓（650V）與低飽和壓降（1.7V），平衡開關損耗與導通性能，適用于高頻調制場景。

中低功率范圍（250W-800W）

架構2專注于中低功率段，采用全橋拓撲設計，全系使用MOSFET以實現(xiàn)更高效率：

特點：

低壓MOSFET（80V）：如JMSL/JMSH系列，導通電阻低至2.4mΩ，支持全橋拓撲的高頻開關需求。

緊湊封裝（TO-252/PDFN）：優(yōu)化空間布局，適配小型化設計。

對比與選型建議

功率覆蓋：

架構1（250W-2000W）：MOSFET+IGBT組合，適合寬范圍功率需求，高功率段依賴IGBT的低損耗特性。

架構2（250W-800W）：全MOSFET方案，以高集成度滿足中低功率場景。

拓撲適配：

架構1支持反激拓撲，架構2適配全橋拓撲，需根據(jù)系統(tǒng)設計要求選擇。

效率與成本：

低壓MOSFET（如80V/150V）在低功率段效率更優(yōu)，而IGBT在高功率段更具成本效益。

捷捷微電始終致力于為工程師伙伴提供更靈活、更貼心的產品選擇。無論是中小功率的輕量化設計，還是高功率場景下的穩(wěn)定需求，我們通過多樣化的MOSFET與IGBT組合方案，讓您能夠輕松匹配項目中的功率目標、電路結構以及成本規(guī)劃。選型時，只需聚焦核心需求——高效率的MOSFET可賦能輕載場景，而高可靠性的IGBT則能扛起大功率重任。