MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時(shí)被稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。

主要分為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管、P溝道場(chǎng)效應(yīng)管兩種構(gòu)造。

圖1：A、B分別是它的結(jié)構(gòu)圖和代表符號(hào)；

圖2： A、B分別是P溝道MOS管道結(jié)構(gòu)圖和代表符號(hào)。

光電三極管是一種半導(dǎo)體器件，能夠感應(yīng)光水平并根據(jù)其接收的光水平來(lái)改變?cè)诎l(fā)射極和集電極之間流動(dòng)的電流。顧名思義，光電三極管是一種晶體管，可以感應(yīng)光并改變晶體管端子之間的電流。

通常，晶體管對(duì)光敏感，晶體管的這種特性用于光電三極管中。 NPN型光電三極管是其中的一種。

在此，在撞擊基座的光電三極管中，光會(huì)取代實(shí)際施加到基座上的電壓，因此光電三極管會(huì)根據(jù)光信號(hào)放大差異。 光電三極管中可能有也可能沒(méi)有基極端子。 如果存在，則基礎(chǔ)區(qū)域允許其偏置光電三極管的光沖擊。

這種類型的晶體管通過(guò)曝光來(lái)控制。 就像控制BJT的光電二極管一樣。

光電三極管可以是任何一種類型，例如BJT或FET。

光電三極管的特性

這里的X軸是VCE–表示施加到集電極-發(fā)射極引線的電壓，Y軸為IC –以毫安表示通過(guò)電路的集電極電流。

如我們所見，曲線清楚地表明電流隨著在基極區(qū)域的輻射強(qiáng)度的增加而增加。

在此，X軸表示照明水平，在Y軸上已繪制了基本電流。

常用光電三極管具有易于集成、體積小、重量輕等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的光電器件相比，常用光敏三極管更加緊湊、輕便，可以方便地集成到各種光電產(chǎn)品中，使得整個(gè)產(chǎn)品更加美觀、簡(jiǎn)潔。同時(shí)，由于其體積小，重量輕，可以減小產(chǎn)品的體積和重量，提高產(chǎn)品的便攜性和可攜帶性。

在電子產(chǎn)品中，光電三極管電路廣泛應(yīng)用于光電開關(guān)、光電傳感器、光電控制器等方面。例如，在智能手機(jī)中，光電三極管電路可以用于自動(dòng)調(diào)節(jié)屏幕亮度和控制屏幕的休眠狀態(tài)。在電腦中，光電三極管電路可以用于控制鍵盤的背光亮度和鼠標(biāo)的移動(dòng)距離。光電三極管電路還可以用于光敏電阻的光譜分析和光電轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

審核編輯：黃飛