在電子產品的表面組裝過程中，尤其是在大批量回流焊接工藝中，無源片式元器件的墓碑效應給PCBA組裝焊接增加了許多麻煩。隨著SMC/CMD的微小型化，回流焊接時這些片式元器件會出現“直立”，此現象又稱為“曼哈頓”效應。

這種現象主要發生在小型片式元器件上，它們被焊接在相對兩極的表貼焊盤上，在焊接過程中元器件垂直地立起來，如圖所示。有時是部分直立，有時元器件完全直立在一個焊盤上，就像在墓地的墓碑似的。

在早期SMT制造過程中，通常“墓碑”與氣相回流焊接（冷凝焊）聯系在一起，原因之一是與快速升溫加熱有關。隨著氣相回流工藝的發展，特別是強制對流工藝和先進的控溫系統的應用，SMC/SMD焊接的“墓碑”現象曾一度得到極大的抑制。

隨著片式元器件的微型化和輕量化，高溫無鉛焊料的應用，“墓碑”缺陷的影響反而變得更加顯著。在氣相回流和氮氣回流系統中，甚至在使用新批次的元器件和PCB時，墓碑效應都容易出現。

初始潤濕差異導致的墓碑效應
造成“墓碑”效應的原因之一是無源元器件兩端焊料的初始潤濕力不同，這種不同來自于兩個焊端表面的潤濕力和焊料的表面張力的差異。如果一個焊端比另一個焊端更快地進行回流和潤濕，那么作用在該焊端上形成焊點的力可能使元器件的另一個焊端抬起來，從而形成墓碑現象。

潤濕機理包括三個重要參數:初始潤濕時間、潤濕力和完全潤濕時間。完全潤濕發生時，在焊點和元器件上的作用力最大，因此完全潤濕時間的差異直接關系到墓碑缺陷的產生。

氮氣和氣相焊接的影響
氮氣和氣相焊接對墓碑效應的影響是顯著的。在回流焊接的過程中，氮氣阻止了表面再氧化，加快了初始潤濕的發生；氣相焊接的溫度上升速度應受控，與氮氣環境一樣，氣相焊接的氣相也防止了表面的再氧化。在這兩種工藝條件下，待焊組件在進入回流區時，金屬化表面的氧化大大減少，使潤濕速度更快。如果此時回流焊接的溫度上升速度過快，或者氣流方向、速度、溫度不均勻，那么貼片元件就更容易被拉起，形成墓碑效應。

較快的初始潤濕沒有提供足夠的時間以減少ΔTS，而初始潤濕時間的額外推遲以減少ΔTS恰恰是要減少墓碑缺陷發生所必需的。因此，我們在看到氮氣和氣相焊接的明顯好處的同時，也要采取額外的預防措施來減少墓碑效應的產生。

規避“墓碑”效應的措施
1.調整回流溫度曲線，增加預熱溫度和預熱時間，以縮小元器件兩端的溫差；
2.采用氮氣保護回流焊接時，要控制氮氣環境下的殘氧量，優選500ppm；
3.在保證焊點強度的前提下，焊盤尺寸應盡可能小，因為焊盤尺寸減小后，錫膏的涂布量相應減少，錫膏熔化時的表面張力也跟著減少。整個焊盤的熱容量減少，兩個焊盤上錫膏同時熔化的概率大大增加。

福英達錫膏
深圳市福英達是全球領先的微電子與半導體焊接材料生產商，能為客戶提供合適熔點和性能的錫膏產品。歡迎來電咨詢。

審核編輯 黃宇