3D NAND絕對(duì)是芯片制程的天花板，三星，海力士，英特爾，長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都有3D NAND的產(chǎn)線，代表了一個(gè)國(guó)家的芯片制造水平。今天，我們就來(lái)剖析一下3D NAND的主要制作流程。

1，基底準(zhǔn)備：選擇12寸特定晶向的硅片。

2，SiO2與SiNx交替鍍膜，每層膜層在幾十納米左右。根據(jù)產(chǎn)品的不同，膜層的層數(shù)也不同。圖中只是示意圖，只有幾層。但實(shí)際有64，128，400層等層數(shù)。

3，沉積無(wú)定形硅碳膜，這個(gè)是用來(lái)做溝道刻蝕的硬掩模。

4，硬掩模刻蝕，將硬掩模開口，以便于刻蝕堆疊的SiO2與SiNx材料

5，溝道通孔刻蝕

6，臺(tái)階刻蝕，見文章：

《3D NAND的臺(tái)階蝕刻（刻蝕）》

7，沉積無(wú)定形硅硬掩模，圖片為側(cè)視圖

8，將硬掩模開孔

9，slit etch：將SiO2與SiNx的堆疊層刻蝕為一個(gè)個(gè)溝槽，

10，將堆疊層中的SiNx刻蝕掉，填充TiN,鎢（W）等,即word line fill工藝。

11，刻蝕掉多余的鎢，之后需要對(duì)溝道通孔進(jìn)行填充，因此需依次沉積阻擋氧化層，Charge Trap SiN (電荷陷阱氮化硅)，Tunnel Oxide (隧道氧化物)，Poly Si (多晶硅)，Core SiO2 (硅基體)。功能區(qū)主體結(jié)構(gòu)完成。

12，沉積介質(zhì)層，并用CCP-RIE進(jìn)行接觸孔蝕刻。

13，用金屬填充接觸孔，并制作出連接接觸孔的金屬導(dǎo)線-Bit line，3D NAND的整個(gè)制程結(jié)束。

文中精簡(jiǎn)了比較多的重復(fù)步驟，實(shí)際工藝在數(shù)百步以上。

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