韓國(guó) SK 海力士于 4 月 25 日透露在季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應(yīng)壓力，可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。

當(dāng)前國(guó)際巨頭三星電子已經(jīng)推出了自己的 12Hi HBM3E 產(chǎn)品，每顆芯片容量高達(dá) 36GB，并已開(kāi)始向客戶提供樣品，預(yù)計(jì)下半年將實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。

SK 海力士表示，今年的重點(diǎn)是滿足客戶對(duì) 8Hi HBM3E 的需求，同時(shí)也為明年客戶對(duì) 12Hi HBM3E 的需求增長(zhǎng)做好充分準(zhǔn)備。

HBM3E 內(nèi)存的價(jià)格比 HBM3 高，因?yàn)樗哂懈蟮膸捄腿萘俊?/p>

在電話會(huì)議上，SK 海力士強(qiáng)調(diào)將優(yōu)先保證高附加值和需求明確的 HBM 內(nèi)存供應(yīng)，同時(shí)指出 HBM 內(nèi)存芯片的尺寸是普通 DRAM 的兩倍，這將對(duì)常規(guī) DRAM 的晶圓投片產(chǎn)生影響，預(yù)計(jì)下半年產(chǎn)能將受限。

SK 海力士預(yù)測(cè)，若下半年個(gè)人電腦和智能手機(jī)需求恢復(fù)，現(xiàn)有庫(kù)存消耗殆盡，內(nèi)存市場(chǎng)將面臨緊張局面。

關(guān)于未來(lái)的 HBM4 內(nèi)存，SK 海力士表示將推遲采用混合鍵合技術(shù)，因其技術(shù)難度大，引入可能會(huì)對(duì)產(chǎn)能和質(zhì)量造成風(fēng)險(xiǎn)。

SK 海力士計(jì)劃在 16Hi HBM 中繼續(xù)使用現(xiàn)有的 MR-MUF 鍵合技術(shù)，直到混合鍵合技術(shù)成熟后再進(jìn)行應(yīng)用。