隨著對器件的控制需求提升，越來越多的電源開關(guān)電路出現(xiàn)在設(shè)計中。這些設(shè)計的目的各有不同：有的需要快速開通與關(guān)斷，有的需要低導(dǎo)通電阻+大電流，有的需要閑時0功耗。雖然應(yīng)用場合不同，但做開關(guān)可是MOS的強(qiáng)項。

下面來介紹幾種產(chǎn)品設(shè)計中常用的MOS做電源開關(guān)的電路。

1、NMOS低側(cè)電源開關(guān)

【低側(cè)驅(qū)動，最簡單最實用，但不一定適用所有的電路，會對部分電路的工作有影響】

由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異，導(dǎo)致同價格的NMOS在開通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS，所以設(shè)計中盡量優(yōu)先選擇NMOS。

下圖為使用NMOS，最簡單的開關(guān)電路。（低側(cè)驅(qū)動）

CONTROL為控制信號，電平一般為3~12V。負(fù)載一端接電源正極，另一端接NMOS的D（漏極）。

CONTROL電平為高時，Vgs>NMOS的Vgs導(dǎo)通閥值，MOS導(dǎo)通，負(fù)載工作。

CONTROL電平為低時，Vgs=0，MOS關(guān)斷，負(fù)載停機(jī)。

1.1、設(shè)計時注意事項

1.1.1、泄放電阻 R1

上面這個電路中，通常都會在NMOS的G極、S極間，并聯(lián)一個10K左右的電阻。這個電阻通常被叫做泄放電阻，用來泄放GS極間的電荷。加它的原因是因為MOS的GS極間的阻值非常高，通常為M歐以上，并且GS間還有結(jié)電容，這就導(dǎo)致GS一旦充電，就很難釋放掉。如果沒有這個泄放電阻，在G極通入高電平，負(fù)載會工作，而將G極上的控制信號拿開，由于結(jié)電容的存在，GS間的電壓會維持在導(dǎo)通閥值以上很長一段時間，負(fù)載仍會繼續(xù)工作。而加了泄放電阻，會加快泄放速度，使電路功能更加合理易用。

1.1.2、Vgs電壓范圍 對導(dǎo)通速度、導(dǎo)通內(nèi)阻的影響

通常來講，TO-220、TO-251AA、SOP-8、SO-8（DFN3x3 5x5）、TO-252、TO-263 這些封裝較大的器件，其額定耐壓、額定電流都比較大，Vgs的最大允許范圍一般為± 20V。

因Vgs的驅(qū)動電壓越高，MOS的導(dǎo)通電阻就越小，導(dǎo)通速度也越快，所以像電機(jī)控制一般多使用12V作為驅(qū)動電壓。（見下圖手冊，Vgs=4.5V 和 10V 時，MOS導(dǎo)通內(nèi)阻的對比）

SOT-23封裝的MOS，其Vgs最大范圍一般為± 12V。

切莫使Vgs超出手冊規(guī)定的范圍，會使MOS損壞。

下圖為 IRLR7843 - NMOS 數(shù)據(jù)手冊的部分內(nèi)容。

1.1.3、寄生結(jié)電容 | 驅(qū)動電流 | 柵極驅(qū)動器

1.1.3.1、寄生結(jié)電容 對開斷速率的影響

MOS的GS極間的寄生結(jié)電容大小，影響了開斷速度。越小開斷越快，響應(yīng)越迅速。選型時，應(yīng)盡量選擇小的，可以有更快的開斷速度，以降低開關(guān)損耗。

1.1.3.2、寄生結(jié)電容 和 驅(qū)動頻率 對驅(qū)動電流的需求

MOS的GS極內(nèi)阻非常大，對外主要體現(xiàn)為容性，低頻時對電流的需求不明顯，而隨著頻率升高，電容充放電頻率的加快，電容的容抗與頻率成反比，容抗變小。

這時在輸入信號的頻率相對較高的條件下，驅(qū)動MOS就需要比以前大得多的驅(qū)動電流。大到一定程度，MCU端口能提供的幾mA電流就顯然不夠用了，繼續(xù)使用MCU端口直驅(qū)，一方面會使MCU過載，另一方面會對輸出信號的波形造成衰減，嚴(yán)重時會影響NMOS的正常開通。

這種情況，常見于電機(jī)控制或者電源轉(zhuǎn)換。控制信號通常為幾十KHz~幾M的PWM波形。需要使用專用的MOS柵極驅(qū)動IC。NMOS的低側(cè)驅(qū)動IC很簡單，內(nèi)部大多為一個半橋。市面上使用更多的驅(qū)動IC為高側(cè)+低側(cè)柵極驅(qū)動IC，即為NMOS半橋柵極驅(qū)動，而單單低側(cè)的柵極驅(qū)動由于較為簡單，搞個NP對管就能實現(xiàn)相近的效果，即使芯片有很多選擇，也并不常用。

2、NMOS高側(cè)電源開關(guān)（高側(cè)驅(qū)動，穩(wěn)定、性能好）

【也叫高端驅(qū)動、高邊驅(qū)動，因高端中文容易混淆，所以一般書面形式叫高邊、高側(cè)的會多一些】

NMOS做低側(cè)開關(guān)，是用NMOS將元件的GND浮空，并通過開通GND開開關(guān)電路負(fù)載。

一般的電路這樣用可能沒什么問題，但有的則不行，例如需要低側(cè)電流采樣的電機(jī)驅(qū)動電路，可能導(dǎo)致工作異常。或者有電源完全斷開的需求，NMOS低側(cè)開關(guān)顯然不適合。

NMOS的高側(cè)柵極驅(qū)動，一般需要搭配額外的柵極驅(qū)動芯片，這類芯片大體有兩種：

1、集成電荷泵的NMOS高側(cè)驅(qū)動：一種是內(nèi)部集成電荷泵的。可允許高側(cè)NMOS的持續(xù)開通，即允許100%占空比輸入。性能穩(wěn)定，但柵極驅(qū)動器芯片的成本略高。

2、電容浮柵自舉：另一種是通過電容浮柵自舉。需要輸入信號為PWM，通常只允許99%占空比輸入，以在空閑時間給自舉電容充電。這種應(yīng)用需要限制PWM信號的占空比，不能100%占空比輸入，不能高側(cè)持續(xù)導(dǎo)通。

電容浮柵自舉電路原理

電機(jī)控制和功率變換應(yīng)用中，較多使用的是電容浮柵自舉，其內(nèi)部電路形式大多為 高側(cè)+低側(cè)柵極驅(qū)動IC，或者叫NMOS半橋柵極驅(qū)動IC。其內(nèi)部集成死區(qū)控制器，以防止半橋上下管同時開通，造成短路MOS過流損壞，俗稱炸管。常用型號如 IR2101、IR2104、IR2110、IR2130，市面上的大多數(shù)柵極驅(qū)動IC多以這幾款I(lǐng)C為仿照藍(lán)本。

下面簡述下電容自舉電路的原理，其是如何實現(xiàn)高壓隔離和 電容自舉充放電的。個人理解可能有偏頗，還望指正。這里以 IR2101 的手冊為例。

請留意第二張的右上角：

0、圖1右側(cè)的TO與LOAD是直接連接的，且 HIN、LIN 的信號近似為差分（一般會額外插入些死區(qū)），所以右側(cè)半橋輸出的電平，可以近似的看為 0 ~ 600V 的數(shù)字信號，輸出不是600V就是0V。這是大前提，這里先不考慮外部負(fù)載對上升、下降沿過程的影響，近似看做純數(shù)字電路來方便理解。

1、當(dāng)輸入信號 HIN 為0時，圖2右上角的 高側(cè)MOS關(guān)斷，低側(cè)MOS導(dǎo)通。外部高側(cè)NMOS的GS通過內(nèi)部的低側(cè)MOS來迅速放電，使外部高側(cè)MOS關(guān)斷。于此同時，外部低側(cè)MOS導(dǎo)通，半橋輸出電平為0V，可近似看作自舉電容的低邊直接接到了GND上，構(gòu)成了自舉電容的充電回路。這時自舉電容會在二極管的輔助下，擇機(jī)充電。

2、當(dāng)輸入信號 HIN 為1時，圖2右上角的 高側(cè)MOS導(dǎo)通，低側(cè)MOS關(guān)斷。自舉電容通過 Vb -> HO 路徑向 外部的高側(cè)NMOS放電，于是外部的高側(cè)NMOS導(dǎo)通，自舉電容逐漸放電電壓緩慢變低。因MOS的GS極間內(nèi)阻非常大，外部的高側(cè)NMOS可以保持導(dǎo)通很長時間。【這步相當(dāng)于將沖好電的自舉電容，突然架空GND，再瞬間轉(zhuǎn)移到到 Vs 和 HO 上，使外部NMOS的GS間電位與自舉電容保持一致。整個過程與電荷泵倍壓的原理幾乎是一樣的，只不過這里的充放電頻率與HIN、LIN的頻率保持一致，而電荷泵倍壓一般使用內(nèi)置震蕩源】

因 HIN、LIN 輸入信號為PWM，且限制最大占空比為99%，上面過程隨PWM周期重復(fù)。

NMOS電荷泵高側(cè)驅(qū)動IC的一些型號

在IC廠商官網(wǎng)的產(chǎn)品選型頁，不是很容易直接搜到 MOS高側(cè)驅(qū)動。一般被叫做 熱插拔控制器，額外集成了高邊差分放大器，對浪涌電流進(jìn)行保護(hù)。

TI的 高側(cè)開關(guān)產(chǎn)品列表，其MOS都是內(nèi)部集成的，不能外接NMOS。好不容易能在 電子保險絲和熱插拔控制器 中找到個 LM5060。單純的NMOS高側(cè)驅(qū)動型號很少，大多都是集成電流保護(hù)的 熱插拔控制器。

ADI 有專門的 熱插拔控制器 和 高側(cè)柵極驅(qū)動器 分類，能外接NMOS的型號還是非常多的。如LTC4380、ADM4210、LTC4440、LTC7000。

隨著電機(jī)控制對FOC需求的激增，同時也促使了MOS柵極驅(qū)動器的集成度提高，諸如DRV8301、DRV8305 這些集成了三相半橋柵極驅(qū)動、DCDC降壓、高側(cè)電荷泵涓流充電、多路增益可編程的差分放大器、可調(diào)死區(qū)控制器 的驅(qū)動器，被越來越多的應(yīng)用到產(chǎn)品設(shè)計 上。

3、PMOS高側(cè)電源開關(guān)（高側(cè)驅(qū)動，穩(wěn)定、簡單）

NMOS做高側(cè)開關(guān)的性能比較好，但因為要增加額外的柵極驅(qū)動IC，會使電路變得復(fù)雜，成本也會隨之提升。除開電機(jī)控制和電源轉(zhuǎn)換的場合，一般對開通速度、導(dǎo)通內(nèi)阻、過電流能力 無細(xì)致需求的話，PMOS無疑是做開關(guān)的較好選擇。

近年來隨著MOS工藝的升級，PMOS的參數(shù)還是較NMOS差，但導(dǎo)通內(nèi)阻<10m歐的PMOS型號越來越多了。PMOS做高側(cè)開關(guān)的最大優(yōu)勢，是不用電荷泵驅(qū)動，簡單方便，還降低成本。

下圖是PMOS做高側(cè)開關(guān)的電路，CONTROL為控制信號，電平范圍為0~VCC。

CONTROL為0V時，Vgs<導(dǎo)通閥值，PMOS開通，負(fù)載工作。

CONTROL為VCC時，Vgs>導(dǎo)通閥值，PMOS關(guān)斷，負(fù)載停機(jī)。

注意上圖這里的輸入信號 CONTROL，其低電平要保證Vgs能使PMOS開通；又要限制Vgs不能小于手冊上的最小允許電壓，以避免PMOS損壞。

但MCU或其他控制器的電平一般為固定的3.3V / 5V，而電路的VCC卻要在一個很大的范圍內(nèi)變動。這就導(dǎo)致如果使用I/O口直接驅(qū)動的話，PMOS不能關(guān)斷，并且當(dāng)VCC較大時，還會損壞MCU的I/O口。

所以PMOS做高側(cè)開關(guān)時，一般搭配一個小電流的NMOS或者NPN管，來做驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換。

如下圖，NMOS - Q3負(fù)責(zé)做電平轉(zhuǎn)換，來驅(qū)動Q2 - PMOS的開關(guān)。

當(dāng) CONTROL 為0時，Q3關(guān)斷，Q2的G極電平被拉高為VCC，Q2 - PMOS關(guān)斷，負(fù)載停機(jī)。

當(dāng)CONTROL 為1，Q3開通，Q2的G極電平被拉低為0，Q2 Vgs<導(dǎo)通閥值，PMOS開通，負(fù)載工作。

隨之而來新的問題：如果VCC電壓很高，在PMOS開通時，導(dǎo)致Vgs超出了手冊中的Vgs允許范圍，也會造成PMOS的損壞。

為了避免損壞PMOS的柵極，在上面的電路中，添加一個穩(wěn)壓管和電阻，來達(dá)到鉗位的作用，使Vgs最小不低于-12V，以保護(hù)Q2的柵極。（見下圖）

特別注意：VCC電壓較高時，需要重新計算各電阻的熱功耗，來確定合適的封裝，或者更改阻值。

PMOS做低側(cè)開關(guān)的實例實在是少之又少，并且PMOS做低側(cè)開關(guān)確實沒什么好處，電路復(fù)雜且參數(shù)較差，不如直接用NMOS，在此不做介紹。

審核編輯 黃宇