ICP-RIE全稱是電感耦合等離子體刻蝕機，是半導體芯片微納加工過程中必不可少的設備，可加工微米級納米級的微型圖案。

ICP-RIE機臺的原理是什么樣的？

上圖是一個典型的ICP-RIE設備的原理圖，其中：

ICP Generator（感應耦合等離子體發生器）：產生射頻能量以激發氣體并產生等離子體。

CCP Generator（電容耦合等離子體發生器）：為下部電極提供射頻能量，以產生電場并加速等離子體中的離子向晶圓表面運動。

Gas Inlet（氣體進口）：引入所需的刻蝕氣體到反應室。

Analysis Port（分析口）：用于連接在線檢測工具，如質譜儀或光譜儀，用于分析反應室內的氣體成分。

Glow Discharge（輝光放電區）：這是等離子體形成和持續作用的區域，等離子體在此區域中發光。

Wafer Clamping（晶圓夾持）：用于固定晶圓，確保其在刻蝕過程中位置穩定。

Pumping（泵）：保持反應室的真空狀態，排除刻蝕過程中的副產品和未反應氣體。

Cryo Stage：控制晶圓在刻蝕過程中的溫度，防止因溫度過高而損傷晶圓或影響刻蝕結果。

Helium Backing（氦氣背冷）：利用氦氣作為冷卻介質，帶走熱量。

Dark Space（暗區或鞘區）：一個沒有輝光放電的區域，這有助于改善刻蝕的均勻性。

審核編輯：黃飛