JFET 與 MOSFET的區(qū)別

JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)引導(dǎo)，而在 MOSFET 中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場(chǎng)。

兩者之間的下一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因?yàn)楹笳咔度肓私^緣體，因此漏電流更少。

JFET 通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而 MOSFET 通常被稱為“OFF器件”，可以在耗盡模式和增強(qiáng)模式下工作并具有高漏極電阻。

接下來簡(jiǎn)單的介紹一下JFET 與 MOSFET。

什么是JFET？

JFET是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的首字母縮寫，由柵極、源極和漏極 3 個(gè)端子組成。

在 JFET 中，電場(chǎng)施加在控制電流流動(dòng)的柵極端子上。從漏極流向源極端子的電流與施加的柵極電壓成正比。

JFET基本上有兩種類型，基本上是N溝道和P溝道。

施加在柵極到源極端子的電壓允許電子從源極移動(dòng)到漏極。因此，從漏極流向源極的電流稱為漏極電流ID。

當(dāng)柵極端子相對(duì)于源極為負(fù)時(shí)，耗盡區(qū)的寬度增加。因此，與無偏置條件相比，允許較少數(shù)量的電子從源極移動(dòng)到漏極。

JFET圖

隨著施加更多的負(fù)柵極電壓，耗盡區(qū)的寬度將進(jìn)一步增加。因此，達(dá)到了完全切斷漏極電流的條件。

JFET 具有更長(zhǎng)的壽命和更高的效率。

什么是MOSFET？

MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的首字母縮寫。在這里，器件的電導(dǎo)率也根據(jù)施加的電壓而變化。

MOSFET有兩種類型：耗盡型MOSFET和增強(qiáng)型MOSFET

在耗盡型 MOSFET 中間存在預(yù)先構(gòu)建的溝道。因此，施加的柵源電壓將器件切換到關(guān)閉狀態(tài)。

耗盡型 MOSFET 圖

相反，在增強(qiáng)型MOSFET中，不存在任何預(yù)先構(gòu)建的溝道。在這里，傳導(dǎo)開始于通過施加的電壓創(chuàng)建通道。

增強(qiáng)型MOSFET

在 D-MOS 中，負(fù)施加的柵極電位增加了溝道電阻，從而降低了漏極電流。相反，在 E-MOS 中，其工作需要大的正柵極電壓。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管與絕緣柵的區(qū)別？

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管與絕緣柵的區(qū)別

JFET稱為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，MOSFET稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

JFET 僅在耗盡模式下工作，MOSFET在增強(qiáng)模式和耗盡模式下工作。

JFET有兩個(gè)PN結(jié)，MOSFET只有一個(gè)PN結(jié)。

JFET是三端器件，而MOSFET是四端器件。

JFET 不會(huì)在溝道處形成電容，而是在溝道和柵極之間的 MOSFET 電容中形成。

JFET 是一個(gè)簡(jiǎn)單的制造過程，但 MOSFET 是一個(gè)復(fù)雜的制造過程。

JFET 的電導(dǎo)率是由柵極的反向偏置控制的，而 MOSFET 的電導(dǎo)率是由溝道中感應(yīng)的載流子控制的。

JEFT 是高輸入阻抗，而 MOSFET 是非常高的輸入阻抗。

JFET 的特性曲線更平坦，而 MOSFET 的特性曲線更平坦。

JFET 常開器件，MOSFET 常關(guān)器件。

MOSFET 有一個(gè)反向體二極管，在 JFET 中沒有反向體二極管。

JFET 是高柵極電流，而 MOSFET 是低柵極電流。

JFET 是高漏極電流，但 MOSFET 是低漏極電流。

JFET 柵極與溝道不絕緣，而 MOSFET 與溝道絕緣。

在 JFET 溝道和柵極中形成兩個(gè) PN 結(jié)，但在 MOSFET 溝道和柵極中由兩個(gè)并聯(lián)電容組成。

在 JFET 中信號(hào)處理能力較少，在 MOSFET 信號(hào)處理能力更強(qiáng)。

在 JFET 制造復(fù)雜且昂貴，但 MOSFET 制造容易且便宜。

與 MOSFET 相比，JFET 具有更高的漏極電阻。

MOSFET 中的漏電流小于 JFET。

與 JFET 相比，MOSFET 更容易構(gòu)建和廣泛使用。

JFET多用于低噪聲應(yīng)用，MOSFET多用于高噪聲應(yīng)用。

與 MOSFET 相比，JFET 是功率分類。

JFET 的柵極裕度約為 0.1 至 10 mA/v，而 MOSFET 的柵極裕度約為 0.1 至 20 mA/v。

JFET 不如 MOSFET 受歡迎，而且如今 MOSFET 比 JFET 更廣泛使用。

審核編輯：劉清