東芝推出兩款采用L-TOGL封裝的車載N溝道功率MOSFET產品
東芝近日發布了兩款專為車載環境設計的N溝道功率MOSFET產品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL?封裝技術。這兩款新品不僅集成了東芝最新一代的U-MOS X-H工藝，使得導通電阻達到極低水平，極大提升了能效。
尤為引人注目的是，L-TOGL?封裝技術中采用了獨特的銅夾片結構。這種設計通過厚銅框將MOSFET芯片與外部引腳緊密相連，有效提升了散熱性能和電氣連接穩定性。這一創新不僅確保了產品在高負載、高溫等惡劣車載環境下的穩定工作，同時也為汽車制造商提供了更加可靠、高效的解決方案。
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