近日,天健專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司公布了江蘇魯汶儀器股份有限公司的一項(xiàng)技術(shù)專(zhuān)利——《一種原子層刻痕工藝》(PN1145760)。該專(zhuān)利于2024年5月14日提交申請(qǐng),專(zhuān)利號(hào)為CN118039471A。
本專(zhuān)利主要涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域,涉及的是一種高效原子層刻痕解決方案。工藝具體為主體步驟分為兩個(gè)階段:首先采取等離子處理方式將氯元素引入晶片表面,進(jìn)而形成氯化圖層;之后,通過(guò)等離子處理的氮?dú)猓瑢?shí)現(xiàn)氯化層的精確刻痕。相較于現(xiàn)有方法,此工藝不僅能降低晶格損傷和電損,同時(shí)也可提升氮化鎵刻痕效果。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示,使用現(xiàn)有方法刻痕氮化鎵后,晶片表面的氮元素含量約為51.4%;而采用新工藝刻痕后,氮元素含量降至47.8%。這說(shuō)明,經(jīng)過(guò)氯元素改性的氮?dú)饪毯郏茱@著減少氮空位,從而減輕晶格損傷和電損。
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