江蘇魯汶儀器股份有限公司揭示原子層刻蝕新方法
近日，天健專利商標事務所有限公司公布了江蘇魯汶儀器股份有限公司的一項技術專利——《一種原子層刻痕工藝》（PN1145760）。該專利于2024年5月14日提交申請，專利號為CN118039471A。
本專利主要涉及半導體設備制造領域，涉及的是一種高效原子層刻痕解決方案。工藝具體為主體步驟分為兩個階段：首先采取等離子處理方式將氯元素引入晶片表面，進而形成氯化圖層；之后，通過等離子處理的氮氣，實現氯化層的精確刻痕。相較于現有方法，此工藝不僅能降低晶格損傷和電損，同時也可提升氮化鎵刻痕效果。實驗數據顯示，使用現有方法刻痕氮化鎵后，晶片表面的氮元素含量約為51.4%；而采用新工藝刻痕后，氮元素含量降至47.8%。這說明，經過氯元素改性的氮氣刻痕，能顯著減少氮空位，從而減輕晶格損傷和電損。
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