5月22日，東風汽車官方發(fā)布消息表示，該司已聯(lián)手中國中車在武漢共同創(chuàng)立智新半導體，旨在通過自主研發(fā)突破，掌握生產(chǎn)車規(guī)級IGBT模塊的技術(shù)，并成功實現(xiàn)量產(chǎn)，初期產(chǎn)能為30萬只。

該產(chǎn)品主要面向400V硅基IGBT模塊市場，與國際同類產(chǎn)品相比，具有價格優(yōu)勢，且達到國內(nèi)IGBT模塊零的突破。

今年4月，智新半導體的第二條生產(chǎn)線正式投入使用，規(guī)劃產(chǎn)能達40萬只，可同時生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊及800V碳化硅模塊，國產(chǎn)化率高達70%。預計7月份開始批量生產(chǎn)，10月份大規(guī)模投放市場。

當前，智新半導體正在研發(fā)雙面水冷塑封碳化硅模塊，其體積較傳統(tǒng)產(chǎn)品縮小40%，具備更低損耗、更高效率等特點，有助于提高車輛續(xù)航里程，降低整體成本。

此外，智新半導體還計劃建設第三條生產(chǎn)線，預計年產(chǎn)能達50萬只，到2025年，總產(chǎn)能有望達到120萬只IGBT模塊，以全力支持東風公司“十四五”期間實現(xiàn)百萬輛新能源車銷售目標。