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Nexperia(安世)發(fā)布高性能碳化硅MOSFET,滿足工業(yè)應用增長需求

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2024-05-23 10:57 ? 次閱讀

近日,全球知名半導體制造Nexperia(安世)半導體推出采用D2PAK-7 SMD封裝的高度先進的1200V碳化硅(SiC)MOSFET此次發(fā)布的MOSFET共包含四種不同選項,RDSon值分別為30、40、60和80 mΩ,進一步豐富了公司的SiC MOSFET產(chǎn)品線。

Nexperia的這一最新發(fā)布是對其SiC MOSFET產(chǎn)品組合的快速擴展。此前,該公司已于2023年末發(fā)布了兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的獨立SiC MOSFET。新產(chǎn)品系列將覆蓋RDSon值為17至80 mΩ的廣泛范圍,并提供多種封裝選項,以滿足不同應用場景的需求。

RDSon作為SiC MOSFET的關鍵性能特征,直接決定了傳導期間的功率損耗。Nexperia注意到,盡管市場上許多SiC器件在標稱值上表現(xiàn)出色,但當器件工作溫度升高時,RDSon可能增加100%以上,導致顯著的傳導損耗。

為了解決這一問題,Nexperia憑借其先進的工藝技術,確保新型SiC MOSFET具有出色的溫度穩(wěn)定性。測試顯示,在25°C至175°C的溫度范圍內(nèi),這些MOSFET的RDSon標稱值僅增加38%,這一性能在行業(yè)中處于領先地位。

新發(fā)布的SiC MOSFET——NSF0xx120D7A0,滿足了市場對D2PAK-7等SMD封裝高性能SiC開關日益增長的需求。這些開關因其卓越的性能和可靠性,在電動汽車充電、不間斷電源、太陽能及儲能系統(tǒng)逆變器等工業(yè)應用中得到了廣泛應用。

隨著新能源和清潔能源技術的不斷發(fā)展,SiC MOSFET作為高性能電力電子器件,在電力轉(zhuǎn)換和能量管理領域發(fā)揮著越來越重要的作用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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