碲鎘汞（HgCdTe，MCT）紅外焦平面器件結構包括本征汞空位摻雜n-on-p、非本征摻雜n-on-p、n-on-p臺面結器件、n?/p高密度垂直集成光電器件（HDVIP）、As離子注入p-on-n平面結、原位As摻雜p-on-n臺面結、非平衡全耗盡p-π(ν)-n以及nBn 器件等。典型的MCT紅外焦平面器件結構可以概括為n-on-p和p-on-n兩種類型，如圖1所示。n-on-p器件結構的低暗電流性能優(yōu)勢需要低濃度P型吸收層作為支撐，低濃度P型材料的穩(wěn)定可控制備一直是MCT材料研究中不變的主題。隨著紅外探測器向長波/甚長波、高工作溫度等方向發(fā)展，對器件暗電流提出了更高的要求，p-on-n型器件由于其在工程實現(xiàn)上的性能優(yōu)勢已成為重要的技術路線。

據(jù)麥姆斯咨詢報道，昆明物理研究所科研團隊分析了p-on-n器件幾種制備方式的優(yōu)劣，報道了基于VLPE技術的p-on-n雙層異質(zhì)結器件（DLHJ）在材料生長、器件工藝和器件性能方面的研究進展。重點分析了p-on-n DLHJ器件的國內(nèi)外差距以及制約該技術發(fā)展的關鍵問題和技術難點，并提出了解決思路，最后對基于VLPE技術的p-on-n DLHJ器件的發(fā)展進行了展望。相關研究內(nèi)容以“基于VLPE技術的碲鎘汞p-on-n雙層異質(zhì)結材料與器件研究進展”為題發(fā)表在《紅外技術》期刊上。

p-on-n器件制備方式對比分析

影響p-on-n型器件性能的因素主要有：①N型吸收層的材料質(zhì)量；②P型cap層的組分，以及同N型吸收層之間的界面狀態(tài)。N型吸收層材料質(zhì)量直接決定了輻射吸收和器件性能；寬帶隙cap層形成的組分梯度有利于抑制熱激發(fā)，降低耗盡區(qū)漏電流，同時近表面低阻區(qū)形成理想的金屬接觸。p-on-n器件的幾種制備方式如圖2所示。

圖2(a)所示為基于As離子注入的p-on-n平面結器件，圖2(b)所示為基于MBE技術的p-on-n臺面結器件，圖2(c)所示為基于MOVPE技術的p-on-n臺面結器件，圖2(d)所示為基于VLPE技術的p-on-n雙層異質(zhì)臺面結器件。

基于VLPE技術，N型MCT吸收層可采用LPE或VLPE原位摻In生長，P型cap層采用VLPE原位摻As生長，經(jīng)臺面刻蝕、表面/側壁鈍化、電極開孔、金屬電極沉積和倒裝互連等工藝完成紅外焦平面器件制備。相比基于As離子注入的p-on-n平面結器件，一方面避免了離子注入引入的損傷，理論上可減少界面缺陷密度，從而抑制產(chǎn)生復合電流以及缺陷輔助隧穿電流；表面高組分層有利于進一步抑制表面漏電流、耗盡區(qū)產(chǎn)生的復合電流和隧穿電流；同時，極大地簡化了器件制備的工藝流程，規(guī)避了離子注入、激活退火、損傷修復等過程。與基于MBE和MOVPE技術制備的p-on-n異質(zhì)結器件相比，在獲得更高的As激活率的同時減少了高溫激活退火過程，有利于獲得晶體質(zhì)量更優(yōu)越的材料。綜合以上分析，基于原位As摻雜與激活的VLPE技術制備p-on-n臺面結器件有望在更簡單的器件制備工藝下實現(xiàn)更低暗電流，為高性能HOT、長波以及甚長波MCT紅外焦平面器件的研制提供技術方向。

基于VLPE技術的p-on-n DLHJ技術研究進展

材料生長

材料的厚度和組分均勻性、晶體質(zhì)量、組分梯度的構建以及摻雜濃度的有效控制是實現(xiàn)高性能p-on-n DLHJ器件的基礎，從前文分析可知，VLPE技術具有高晶體質(zhì)量以及原位As摻雜與激活等優(yōu)勢，是制備p-on-n DLHJ器件重要技術。圖3為Raytheon公司DLHJ器件結構和摻雜元素分布以及材料均勻性。

表面缺陷也是影響MCT紅外焦平面器件性能的重要因素。Raytheon通過優(yōu)化Cd飽和度實現(xiàn)了較好的表面缺陷抑制。圖4為Cd飽和度對VLPE MCT材料表面缺陷的影響。

組分梯度的構建是p-on-n DLHJ器件實現(xiàn)漏電流抑制的關鍵。BAE在文獻中多次報道了組分梯度與價帶勢壘和器件量子效率的關系。研究表明，組分梯度調(diào)控是消除價帶勢壘進而提高量子效率的關鍵。圖5為BAE公司p-on-n DLHJ器件結構示意圖和摻雜濃度分布。

p-on-n雙層異質(zhì)結材料的界面缺陷對器件缺陷輔助隧穿電流、產(chǎn)生復合電流、響應均勻性等關鍵性能有重要影響。BAE建立了器件漏電流與生長過程中引入的C顆粒之間的關系。圖6為對p-on-n雙層異質(zhì)結材料pn結界面處C顆粒對器件性能影響，C顆粒位置與輸出電壓異常點具有較好的對應關系。

器件工藝

臺面刻蝕和表面/側壁鈍化是p-on-n臺面結器件的關鍵制備工藝。臺面刻蝕實現(xiàn)像元隔離形成焦平面陣列，制備工藝包括干法刻蝕、濕法腐蝕、干法刻蝕與濕法腐蝕相結合等方法，各研究機構在長期的工藝探索中形成了獨具特色的工藝路線，但都在圍繞高深寬比、低損傷等目標展開。表面/側壁鈍化則實現(xiàn)表面漏電的抑制，制備工藝包括熱壁外延（HWE）、MBE、磁控濺射（MS）、熱蒸發(fā)（TE）等。

Raytheon采用濕法腐蝕和等離子體耦合（ICP）干法刻蝕相結合制備臺面，圖7為美國陸軍實驗室和Raytheon公司制備的臺面隔離結構。BAE則采用無損傷濕法腐蝕制備臺面結構，MBE技術沉積CdTe鈍化層，圖8為BAE公司采用無損傷濕法腐蝕制備的臺面結構和MBE技術制備的CdTe鈍化層側壁SEM形貌圖。

器件性能

材料生長和器件制備工藝是實現(xiàn)p-on-n DLHJ器件的基礎，器件性能則是檢驗材料生長和器件工藝的最終標準。品質(zhì)因子R?A和量子效率（QE）是衡量器件性能的兩個關鍵性指標。R?A為器件零偏電阻R?和結面積A的乘積，消除了結面積A的影響，能夠很好地表征紅外探測器的品質(zhì)。QE為某一特定波長下單位時間內(nèi)產(chǎn)生的平均光電子數(shù)與入射光子數(shù)之比，是描述光電轉換能力的一個重要參數(shù)。

Raytheon基于VLPE技術制備的p-on-n DLHJ器件，圖9為Raytheon公司基于VLPE技術制備的p-on-n DLHJ器件性能及應用組件。BAE基于LPE和VLPE制備的p-on-n DLHJ器件，圖10為BAE基于LPE和VLPE技術發(fā)展的DLHJ器件性能及其所應用的組件。

相比國外，國內(nèi)VLPE技術起步較晚，發(fā)展緩慢。華北光電技術研究所（NCRIEO）在2018年報道了基于VLPE技術的p-on-n長波雙層異質(zhì)結材料生長與器件制備，實現(xiàn)了器件研制，但尚未產(chǎn)品化，主要存在臺面器件工藝不成熟、臺面刻蝕與表面鈍化引起的漏電較大等問題。昆明物理研究所開展了VLPE單層MCT材料表面缺陷抑制、均勻性提升及原位As摻雜等研究，實現(xiàn)了p-on-n雙層異質(zhì)材料的制備，但尚未實現(xiàn)產(chǎn)品的工程化研制。

通過研究國內(nèi)外現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢可以發(fā)現(xiàn)，國外已實現(xiàn)p-on-n DLHJ器件的產(chǎn)品化，國內(nèi)尚處于研制階段，初步實現(xiàn)了p-on-n DLHJ材料的生長與器件研制，對于Cd組分梯度的調(diào)控、摻雜元素擴散還鮮有研究，臺面刻蝕、表面鈍化等關鍵工藝尚未成熟。

基于VLPE技術的p-on-n DLHJ器件性能優(yōu)勢與技術難點

圖11為MCT紅外焦平面器件幾種器件結構的性能對比。從圖中可以看出，國外技術路線包括主要為以美國Raytheon為代表的基于VLPE技術p-on-n DLHJ器件和以法國DEFIR為代表的本征汞空位摻雜和非本征摻雜n-on-p器件，國內(nèi)則主要發(fā)展了基于LPE技術的本征汞空位摻雜和非本征Au摻雜n-on-p器件以及As離子注入p-on-n器件。

綜合以上分析，基于VLPE技術的p-on-n DLHJ器件在對暗電流要求較高的長波、甚長波紅外探測器方面具有一定的性能優(yōu)勢，是高性能紅外探測器的重要發(fā)展方向。但目前國內(nèi)尚未實現(xiàn)產(chǎn)品化，限制器件性能的關鍵問題和技術難點主要有以下幾方面：

1）cap層組分梯度構建。cap層組分梯度的構建是p-on-n DLHJ器件實現(xiàn)表面漏電抑制的關鍵，如前文所述（圖4），需要實現(xiàn)兩個區(qū)域的組分梯度構建：近界面組分突變陡增區(qū)和近表面組分遞減區(qū)。

2）界面控制。p-on-n雙層異質(zhì)結材料涉及Cd、In、As三種元素的擴散遷移控制，Cd元素的擴散是構建cap層兩個組分梯度區(qū)的關鍵，As元素和In元素的擴散則影響pn結的位置。

3）器件臺面刻蝕與表面鈍化。p-on-n DLHJ器件的臺面刻蝕與側壁鈍化是發(fā)揮其性能優(yōu)勢的關鍵制備工藝，臺面刻蝕引入的損傷、鈍化膜質(zhì)量的好壞都會影響器件的最終性能。

綜上，在傳統(tǒng)n-on-p標準工藝基礎上，針對材料生長與器件制備的關鍵工藝進行研究，探究成熟穩(wěn)定的p-on-n制備工藝，提高其可靠性、重復性及技術成熟度，是實現(xiàn)高性能p-on-n DLHJ器件產(chǎn)品化的重要一環(huán)。

結論與展望

MCT是新一代高性能紅外探測器的首選材料，暗電流降低是紅外焦平面器件性能提升的重要方向。p-on-n型器件是降低器件暗電流的重要發(fā)展方向，在p-on-n器件的幾種制備方式中，基于VLPE技術的p-on-n DLHJ器件采用原位生長成結，避免了離子注入損傷，實現(xiàn)了原位As摻雜與高激活率的同時，可獲得較高晶體質(zhì)量，表面高組分層可有效降低近漏電流，是高性能紅外探測器的重要發(fā)展方向，有望成為長波/甚長波以及HOT器件的支撐技術。

然而，目前p-on-n DLHJ器件國內(nèi)外發(fā)展仍存在一定差距，為實現(xiàn)器件的產(chǎn)品化研制與工程化應用，亟需解決的問題包括：1）突破VLPE生長技術，實現(xiàn)低缺陷密度、高均勻性原位As摻雜cap層材料的生長和組分梯度構建；2）研究p-on-n DLHJ器件界面控制技術，兼顧暗電流與量子效率兩個關鍵性能指標；3）研究低損傷、高深寬比臺面刻蝕技術，降低刻蝕損傷，減小表面漏電；4）提升鈍化層質(zhì)量，減小側壁鈍化表面漏電；5）在傳統(tǒng)的成熟n-on-p器件制備工藝上探索一套適用于p-on-n雙層異質(zhì)結臺面器件的工藝，充分發(fā)揮p-on-n雙層異質(zhì)結臺面器件的工藝簡化和低暗電流優(yōu)勢。

論文信息：

http://hwjs.nvir.cn/article/id/c1af70e9-c67d-42df-907f-303188fd7512

審核編輯：劉清