1.產品特性(替代LMG1210)
?工作頻率高達10MHz
?20ns 典型傳播延遲
?5ns 高側/低側匹配
?兩種輸入控制模式
?具有可調死區時間的單個PWM 輸入、 獨立輸入模式
?1.5A 峰值拉電流和 3A峰值灌電流
?內置5V LDO
?欠壓保護
?過熱保護
?總劑量(TID)耐受:≥100k rad(si)
?單粒子鎖定及燒毀對線性能量傳輸(LET)的抗干擾度:≥75MeV*cm2/mg
2.功能描述
PC1210是一款60V半橋GaN驅動器,專為高頻率、高效率的應用而開發, 具有可調節死區時間功能、極短的傳播延遲以及5ns 高側/低側匹配,以優化系統效率。芯片內置LDO,提供與電源電壓無關的5V柵極驅動器電壓。
PC1210具有兩種輸入控制模式:獨立輸入模式(IIM) 和PWM 模式。在IIM 模式中,每個輸出都由專用輸入獨立控制。在PWM 模式下,兩個補償輸出信號由單個輸入產生,每個沿的死區時間可在10~100ns之間調節
3.產品應用
?同步降壓型轉換器
?半橋、全橋、正激、推挽轉換器
4.裸芯片/封裝簡介
?本產品為裸芯片,尺寸為2050μm×2050μm(含劃片槽尺寸)
審核編輯 黃宇
-
驅動器
+關注
關注
54文章
8687瀏覽量
149810 -
半橋
+關注
關注
3文章
51瀏覽量
21636 -
GaN
+關注
關注
19文章
2204瀏覽量
76713
發布評論請先 登錄
意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器
LMG1210 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5A、3A、200V 半橋柵極驅動器、5V UVLO 和可編程死區時間數據手冊

UCC28250 具有預偏置作的高級半橋/全橋 PWM 控制器數據手冊

PC1702單通道H橋柵極驅動器中文手冊
TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應用與設計
TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET

ST 意法半導體 STDRIVEG611QTR 用于 GaN 功率開關的高壓和高速半橋柵極驅動器
使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半橋驅動器

評論