Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級數據手冊
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵（GaN）場效應晶體管。93V連續、100V脈沖、53A半橋功率級包含兩個GaN FET，由一個采用半橋配置的高頻GaN FET驅動器驅動。該驅動器和兩個GaN場效應晶體管安裝在完全無接合線封裝平臺上，具有最少的封裝寄生元件。
數據手冊：*附件：Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級數據手冊.pdf
TI LMG2100R026功率級采用7.0mmx4.5mmx0.89mm無鉛封裝，可輕松安裝在PCB上。其TTL邏輯兼容輸入可支持3.3V和5V邏輯電平，不受VCC 電壓影響。專有自舉電壓鉗位技術可確保增強模式GaN場效應晶體管的柵極電壓處于安全工作范圍內。該器件通過實現更易用的接口擴展了分立式GaN場效應晶體管的優勢。該器件非常適用于需要在小尺寸內高頻、高效率運行的應用。
特性
- 集成式半橋GaN FET和驅動器
- 93V連續電壓、100V脈沖電壓（額定值）
- 封裝經過優化，便于PCB布局
- 高壓擺率開關，低振鈴
- 5V外部偏置電源
- 支持3.3V和5V輸入邏輯電平
- 柵極驅動器支持高達10MHz開關
- 低功耗
- 出色的傳播延遲（33ns典型值）和匹配（2ns典型值）
- 內部自舉電源電壓鉗位可防止GaN FET過驅
- 電源軌欠壓，用于閉鎖保護
- 裸露頂部QFN封裝，用于頂部冷卻
- 較大的GND焊盤，用于底部冷卻
應用
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