LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應晶體管 （GaN FET） 驅動器，專為超高頻、高效率應用而設計，具有可調死區時間能力、非常小的傳播延遲和 3.4ns 高側低側匹配，可優化系統效率。該器件還具有一個內部 LDO，無論電源電壓如何，都能確保 5V 的柵極驅動電壓。

為了在各種應用中實現最佳性能，該LMG1210允許設計人員選擇最佳的自舉二極管來為高側自舉電容器充電。當低側關閉時，內部開關會關閉自舉二極管，從而有效地防止高側自舉過度充電，并最大限度地減少反向恢復電荷。GaN FET 上的額外寄生電容降至 1 pF 以下，以減少額外的開關損耗。
*附件：lmg1210.pdf

LMG1210 具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 （IIM） 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入獨立控制。在 PWM 模式下，兩個互補輸出信號由單個輸入產生，用戶可以將每個邊沿的死區時間從 0 調整到 20 ns。LMG1210可在 –40°C 至 125°C 的寬溫度范圍內工作，并采用低電感 WQFN 封裝。

特性

• 高達 50MHz 的工作頻率
• 10ns 典型傳播延遲
• 3.4ns 高側至低側匹配
• 最小脈沖寬度為 4 ns
• 兩個控制輸入選項
  • 具有可調死區時間的單個 PWM 輸入
  • 獨立輸入模式
• 1.5A 峰值拉電流和 3A 峰值灌電流
• 外部自舉二極管，靈活性高
• 內部 LDO，可適應電壓軌
• 高達 300V/ns 的 CMTI
• HO 至 LO 電容小于 1 pF
• UVLO 和過熱保護
• 低電感 WQFN 封裝

參數

方框圖

一、產品概述

LMG是一款高速、高性能的半橋MOSFET和GaN FET驅動器，設計用于最高MHz的操作頻率。它集成了內部LDO（低壓差線性穩壓器）、可調死區時間、高共模瞬態抗擾度（CMTI）以及低電感WQFN封裝，適用于高頻、高效率的應用場景。

二、主要特性

• ?高速操作?：最高支持MHz操作頻率。
• ?低傳播延遲?：典型傳播延遲為ns。
• ?高CMTI?：高達V/ns的共模瞬態抗擾度。
• ?可調死區時間?：通過外部電阻設置，死區時間可調范圍為至ns。
• ?內部LDO?：確保柵極驅動電壓為V，不受電源電壓影響。
• ?低電感封裝?：采用低電感WQFN封裝，減小寄生電感和電壓過沖。
• ?保護功能?：具備欠壓鎖定（UVLO）和過溫保護。

三、應用領域

• 高頻DC-DC轉換器
• RF包絡跟蹤
• Class-D音頻放大器
• Class-E無線充電
• 高精度電機控制

四、功能描述

• ? 獨立輸入模式（IIM） ?：每個輸出由獨立輸入控制。
• ?PWM模式?：通過單個PWM輸入生成兩個互補輸出信號，死區時間可調。
• ?LDO操作?：內部LDO可將輸入電壓（V至V）調節至V，為柵極驅動提供穩定電壓。
• ?死區時間選擇?：通過DHL和DLH引腳連接外部電阻設置死區時間。
• ?過溫保護?：具有低側和高側獨立的過溫保護閾值。
• ?高性能電平移位器?：采用TI專有的高壓電容技術，提供高CMTI和低傳播延遲。

五、典型應用

文檔提供了LMG在同步降壓轉換器中的典型應用電路，包括設計要求和詳細設計步驟。設計步驟涵蓋了旁路電容選擇、自舉二極管選擇、處理地彈噪聲、獨立輸入模式、功率耗散計算以及應用曲線等內容。

六、電源推薦

• 輸入電壓范圍：V至V（若使用內部LDO）；若旁路內部LDO，則直接提供V±%的電壓。
• 需在VIN和GND、VDD和GND之間分別連接旁路電容，以支持內部電路和柵極驅動。

七、布局指南

• ?LMG放置?：盡可能靠近GaN FET，以減小高電流跡線長度。
• ?自舉二極管放置?：靠近LMG，以減小BST到HB環路的電感。
• ?旁路電容放置?：旁路電容應盡可能靠近相應的電源引腳。
• ?信號與電源分離?：分離電源跡線和信號跡線，減小層間重疊。
• ?最小化電容?：從高側引腳到輸入引腳的最小化電容，以減小噪聲注入。