LMG1210 LMG1210 高級 eGaN FET 300V 半橋驅(qū)動器

數(shù)據(jù)：具有可調(diào)節(jié)死區(qū)時間的 LMG1210 200V、1.5A、3A 半橋 GaN 驅(qū)動器數(shù)據(jù)表

描述

LMG1210是一款200V半橋高性能氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）驅(qū)動器，專為要求高開關(guān)速度，最短死區(qū)時間LDA精確控制至5V。

LMG1210 GaN驅(qū)動器經(jīng)精心設(shè)計，應(yīng)用中，并具有可提供超高頻可調(diào)節(jié)死區(qū)時間功能，極短的傳播延遲以及1.5ns高側(cè)/低側(cè)匹配，以優(yōu)化系統(tǒng)效率。

GaN FET上額外的寄生電容被最小化至小于1pF，以減少額外的開關(guān)損耗。外部自舉二極管用于對高側(cè)自舉電容器充電，以便提供適用于電路工作條件的最佳選擇。

當?shù)蛡?cè)不導通時，內(nèi)部開關(guān)會關(guān)閉自舉二極管，以有效防止高側(cè)自舉過度充電，并在將硅二極管用作自舉二極管時將反向恢復電荷降至最低。

GaN驅(qū)動器可在兩種不同的模式下工作：獨立輸入模式（IIM）和PWM模式。在IIM中，每個輸出都由專用輸入獨立控制。在PWM模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產(chǎn)生，用戶可將每個沿的死區(qū)時間從0ns調(diào)節(jié)為20ns.LMG1210可在-40 °C至125°C的寬溫度范圍內(nèi)運行，并采用低電感WQFN封裝。

特性

50MHz的超高速運行
- 10ns典型傳播延遲
- 1.5ns高側(cè)至低側(cè)匹配
- 脈寬≥3ns
1.5A峰值拉電流和3.1A峰值灌電流
可調(diào)節(jié)死區(qū)時間控制功能
業(yè)界最高的300V /ns壓擺率抗擾性
外部自舉二極管可實現(xiàn)靈活性
低于1pF的高側(cè)至低側(cè)電容
UVLO和過熱保護
低電感WQFN封裝

所有商標均為其各自所有者的財產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?GaN FET 驅(qū)動器

?
Driver Configuration
Number of Channels (#)
Power Switch
Bus Voltage (V)
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Input Threshold
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
?

LMG1210	LM5113-Q1	LMG1020	LMG1205
Half Bridge ? ?	Half Bridge ? ?	Low Side ? ?	Half Bridge ? ?
2 ? ?	2 ? ?	1 ? ?	2 ? ?
MOSFET GaNFET ? ?	MOSFET GaNFET ? ?	MOSFET GaNFET ? ?	MOSFET GaNFET ? ?
200 ? ?	90 ? ?	?	90 ? ?
3 ? ?	5 ? ?	7 ? ?	5 ? ?
6 ? ?	4.5 ? ?	4.75 ? ?	4.5 ? ?
18 ? ?	5.5 ? ?	5.25 ? ?	5.5 ? ?
0.5 ? ?	7 ? ?	0.21 ? ?	7 ? ?
0.5 ? ?	3.5 ? ?	0.21 ? ?	3.5 ? ?
10 ? ?	30 ? ?	2.5 ? ?	35 ? ?
TTL ? ?	TTL ? ?	TTL ? ?	TTL ? ?
Catalog ? ?	Automotive ? ?	Catalog ? ?	Catalog ? ?
-40 to 125 ? ?	-40 to 125 ? ?	-40 to 125 ? ?	-40 to 125 ? ?
WQFN ? ?	WSON ? ?	DSBGA ? ?	DSBGA ? ?
19WQFN: 12 mm2: 4 x 3(WQFN) ? ?	See datasheet (WSON) ? ?	See datasheet (DSBGA) ? ?	See datasheet (DSBGA) ? ?