日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器，其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 近日，德州儀器 （TI） 推出了業內速度最快的半橋柵極驅動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:111114 德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）驅動器，進一步擴展了其業內領先的GaN電源產品組合，可在激光雷達（LIDAR）以及5G射頻
2018-03-12 10:44:0010404 對 MOSFET 的柵極進行充電和放電需要同樣的能量， 無論充放電過程快或慢 (柵極電壓的上升和下降)。因 此，MOSFET 驅動器的電流驅動能力并不影響由 MOS- FET 柵極的容性負載產生的驅動器功耗。
2018-04-28 09:11:0612541 
貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關節點振鈴，以及可將開關損耗降低多達80%的零反向恢復。
2020-04-13 14:58:561374 意法半導體的 STDRIVEG600半橋柵極驅動器輸出電流大，高低邊輸出信號傳播延遲相同，都是45ns，能夠驅動 GaN 增強型 FET 高頻開關。
2021-09-09 14:47:572607 
(PFC)級。該 PFC 級 具有 配備集成式驅動器的 TI LMG341xGaN FET，可在寬負載范圍內實現高效率，并且符合80 Plus Titanium 要求。該設計還支持半橋 LLC 隔離式
2020-06-22 18:22:03
開關頻率（高達 100kHz）支持以最低的電流紋波驅動低電感電機帶有集成型柵極驅動器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可減小 PCB 外形尺寸并降低布局復雜度極速開關轉換（小于
2018-10-31 17:33:14
5200混合多芯片模塊有助于防止過壓和欠壓。解決問題的一個設備是德州儀器的LMG5200。該混合多芯片模塊（MCM）包含兩個具有集成驅動器的半橋配置的80V，10-A GaN FET。功能框圖如圖3所示。請注意
2017-05-03 10:41:53
的MOSFET和IGBT會產生不可接受的損耗、WBG半導體晶體管比如GaN能夠克服這些問題集成GaN HEMT和驅動器方案現在已經可以應用于電機系統中能夠承受高壓條件的高性能電容也可以應用到需要高壓高頻電機驅動電路的直流部分
2019-07-16 00:27:49
的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關性能。將GaN FET與驅動器集成在一個封裝內可以減少寄生電感，并且優化
2018-08-30 15:28:30
LMG1210 200-V, 1.5-A, 3-A Half-Bridge GaN Driver With Adjustable Dead Time datasheet
2022-11-04 17:22:44
當我向 lmg1210 的 Hi 和 Li 發送 50% 的值周期、500KHz 互補脈沖信號，并將 epc8010 芯片添加到后端時，連續脈沖波形將輸出并閃爍。如何解決這個問題這個是視頻鏈接
2021-08-03 15:10:40
LMG3410 半 H 橋驅動器（內部 FET） 電源管理 評估板
2024-03-14 20:33:28
簡介目前 MOSFET 驅動器的主要用途之一是進行不同類型電機的驅動控制。此應用筆記對一些基本概念進行討論以幫助用戶選擇適合應用的 MOSFET 驅動器。電機和 MOSFET 驅動器之間的電橋通常由
2021-09-17 07:19:25
MOSFET驅動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅動器最適合您的應用呢？
2021-11-08 06:11:40
應用的理想選擇。 貿澤電子備貨的TI PGA460和PGA460-Q1為具有先進DSP內核的高度集成片上系統 (SoC) 超聲波傳感器驅動器和信號調理器。這兩款器件具有2種基于驅動器的拓撲結構：基于變壓器
2017-09-12 10:24:01
領域的客戶進行接洽，探討寬溫度范圍和輻射方面的應用。 TI也將努力開發出全新類型的轉換器、電機驅動和系統。 LMG5200與眾不同之處 LMG5200原型機由一個高頻驅動器和兩個半橋配置的GaN FET
2018-09-11 14:04:25
正在與太空領域的客戶進行接洽，探討寬溫度范圍和輻射方面的應用。 TI也將努力開發出全新類型的轉換器、電機驅動和系統。 LMG5200與眾不同之處LMG5200原型機由一個高頻驅動器和兩個半橋配置
2018-09-10 15:02:53
功能，并且有兩個模塊：一個監聽滾輪的旋轉功能驅動器模塊，以及一個與LMG5200進行通信的GaN模塊。兩個模塊都依靠低電平Hercules外設驅動器運轉（圖5）。 圖5：固件模塊操作我們先來看看輸出端
2018-06-01 11:31:35
概述：HIP4080A高頻全橋FET驅動器。它為雙列直插20腳封裝。80V 2.5A N溝全橋FET驅動電路。帶寬1MHz，延遲時間70ns。
2021-04-21 07:09:32
的 LMG1210（對于 GaN 電源），以提供 0.8V 的電壓和 10A 的電流。該設計將硅功率級與 GaN 功率級進行比較，以說明在使用 GaN 進行設計時的設計折衷和必要的優化。主要特色PMBus 可編程
2019-01-02 16:17:21
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅動器專為特定的GaN FET驅動要求而設計，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態抗擾度、一套集成式保護功能
2023-09-05 06:58:54
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅動器
2018-09-01 09:53:17
7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較高功率密度GaN伺服驅動器的設計 采用TI氮化鎵和電容隔離方案設計的伺服驅動器如圖8所示。LMG3410是集成了驅動的GaN FET功率級芯片
2019-03-14 06:45:08
減小尺寸和功耗的隔離式FET脈沖驅動器，不看肯定后悔
2021-04-22 06:39:21
LMG1020。在此處查看演示：如下圖和上圖中所示，該GaN驅動器具有1ns 100W光輸出的能力。這是演示中的脈沖激光開發板：這是帶有最少外部組件的簡單應用圖：LMG1210半橋GaN FET驅動器TI
2019-11-11 15:48:09
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號，比較用的三角波為10Mhz。需要開關頻率能大于20Mhz的mosfet驅動器。請問mosfet驅動器的最高工作頻率是由什么參數決定的？有能達到20Mhz以上的mosfet驅動器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
GaN單級解決方案——采用TPS53632G 無驅動器脈寬調制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半橋功率級（驅動器和GaN FET在同一集成電路上）——功率密度高，負載瞬態響應速度
2019-07-29 04:45:02
LMG3410 單通道 GaN 功率級包含一個 70-mΩ、600-V GaN 功率晶體管和采用 8-mm × 8-mm QFN 封裝的專用驅動器。直接驅動架構用于創建常關器件，同時提供 GaN 功率晶體管
2022-04-12 14:11:49
今天觀看了電子研習社的直播課程，由TI工程師王蕊講解了TI的基于GaN的CrM模式的圖騰柱無橋PFC參考方案的設計（TIDA00961）。下面是對該方案的介紹：高頻臨界導電模式 (CrM) 圖騰柱
2022-01-20 07:36:11
，功率密度大于 250W/inch3在 230V 交流輸入和滿載情況下效率可達 98.7%TI LMG3410 GaN 功率級具有集成式驅動器和保護功能，可確保電路可靠性并簡化設計使用 TI
2018-10-25 11:49:58
如何選擇伺服驅動器？威科達通用型伺服驅動器的特點是什么？
2021-11-15 06:57:50
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
能夠通過它們的SOA，以1MHz以上的頻率，在電壓高達1000V和電流高達15A時，硬開關FET。捕捉和分析實時波形可以幫助我們更好地理解高頻效應，比如說dv/dt、柵極驅動器電感和電路板布局布線，這些
2019-07-12 12:56:17
的應用。TI還將開發新型轉換器、電機驅動器和系統。LMG5200的與眾不同之處LMG5200原型機由一個高頻驅動器和兩個半橋配置的GaN場效應晶體管組成，這一切都采用了易于使用的四方扁平無引線(QFN
2018-08-30 15:05:40
，從而保持低回路電感。TI的先進封裝和電路板設計將功率環電感降至幾納亨。這種低電感設計與優化的驅動器集成，使得LMG3410能夠在轉換速率> 100V / ns及過沖小于10％的條件下進行切換
2019-08-26 04:45:13
有誰知道貿澤電子賣的運放里面有假貨嗎？
2020-06-06 15:40:23
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
最近在逛PIC官網的時候，查找相關應用手冊的時候挖到的一篇文章。根據電機控制應用需求選擇合適的MOSFET 驅動器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
可以用很多種方法來控制GaN功率級。針對LMG5200 GaN半橋功率級的TI用戶指南使用了一個無源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中，我將會討論到如何用一個Hercules微控制器來驅動它。圖1
2022-11-17 06:56:35
的典型傳播延遲失配。這使得能夠實現非常短的死區時間，減少了損耗和輸出電流失真。用于高速驅動的TI設計48V / 10A高頻PWM 3相GaN逆變器參考設計實現了具有三個LMG5200 半橋GaN功率模塊
2017-08-21 14:36:14
描述此激光雷達（光距離和范圍探測）參考設計展示了一款低側納秒 (ns) 級 GaN 柵極驅動器 LMG1020，該驅動器能夠驅動 FET 產生功率超過 100W 的 1ns 激光光脈沖。主要特色電路
2018-10-17 15:38:45
個監聽滾輪的旋轉功能驅動器模塊，以及一個與LMG5200進行通信的GaN模塊。兩個模塊都依靠低電平Hercules外設驅動器運轉（圖5）。
圖5：固件模塊
操作
我們先來看看輸出端。第一步是在
2018-08-31 07:15:04
問題是，即使RMS電流約為200mA，MOSFET芯片也會明顯升溫。要驅動的電機是24V 90W BLDC電機，相電阻為0.15歐姆，相間電感為200uH。我選擇的MOSFET及其柵極驅動器
2018-08-23 10:09:59
Coss、Qrr和較低的柵極環路阻抗而具有較大的振鈴和硬開關損耗。集成柵極驅動的75mΩGaN器件TI的LMG341x系列600V GaN器件是集成GaN FET外加驅動器和保護功能的器件。它是一個
2023-02-14 15:06:51
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
的轉換器。在氮化鎵（GaN）功率FET的早期階段，故障很常見。更嚴格的柵極環路設計要求，更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對寄生和噪聲更敏感。當TI推出第一個600V GaN功率級樣品時，我驚嘆于該
2019-07-29 04:45:12
www.ti.com/gatedrivers開始設計您的高效系統。 其他信息TI Designs參考設計庫中展示了高效率系統中的高速柵極驅動器：“隔離GaN驅動器參考設計”。“用于電信的1 kW三路隔離DC
2019-03-08 06:45:10
描述此參考設計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現了一款數兆赫茲功率級設計。憑借高效的開關和靈活的死區時間調節，此參考設計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可編程死區時間的 1.5A、3A 200V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 300
2022-12-14 14:43:00
適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可編程死區時間的 1.5A、3A 200V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 300
2022-12-20 15:04:36
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器 - TI | 貿澤Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器是一款100V器件，集成了頂部和底部驅動器
2024-02-22 13:39:55
針對應用選擇正確的MOSFET驅動器
目前，現有的MOSFET技術和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅動器成了一個富有挑戰性的過程。
從功能上講，MOSFET
2010-01-22 11:37:371757 
Linear推出高速同步MOSFET驅動器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N
2010-02-01 10:22:16865 
凌力爾特推出高速同步MOSFET驅動器LTC4449
凌力爾特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。
2010-02-04 08:40:551260 
TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護模塊以及監控特性的數字雙路同步降壓功率驅動器，
2010-02-23 09:26:57667 TI宣布推出一款完整LED照明驅動器參考板
德州儀器 （TI） 聯合 Lemnis Lighting 宣布推出一款完整 LED照明驅動器參考板，幫助解決成
2010-04-15 09:35:45549 德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET) 使用的低側柵極驅動器。
2012-02-11 09:59:081435 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器 LTC4440A-5，該器件能以高達 80V
2013-10-09 15:41:271040 
/10A 半橋 GaN 電源模塊 LMG5200 的三相逆變器來實現這一點，并使用基于分流器的相電流感應。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅 FET 快得多，而將 GaN FET 和驅動器集成在同一封
2015-06-09 15:54:49
0 近日，德州儀器（TI）推出了首款面向高功率鋰離子電池應用的單芯片100V高壓側 FET 驅動器。該驅動器可提供先進的電源保護和控制。
2016-02-22 11:22:431165 
基于數十年的電源管理創新經驗，德州儀器（TI）近日宣布推出一款600V氮化鎵（GaN）70 mù場效應晶體管（FET）功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動器的GaN解決方案的半導體廠商。
2016-05-05 14:41:39874 氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關性能。將GaN FET與驅動器集成在一個封裝內可以減少寄生電感，并且優化開關性能。集成驅動器還可以實現保護功能。
2016-05-09 17:06:562887 本報告對德州儀器LMG5200器件進行詳細的逆向分析，包括器件設計、封裝技術、制造工藝、成本和價格預估等。這是我們第一發現帶有驅動器的半橋氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）設計，并采用先進的多芯片封裝技術（PCB帶有嵌入式通孔和倒裝芯片）
2018-03-05 13:56:1810013 目前 MOSFET 驅動器的主要用途之一是進行不同類型電機的驅動控制。此應用筆記對一些基本概念進行討論以幫助用戶選擇適合應用的 MOSFET 驅動器。
2018-06-20 10:26:0068 電子發燒友網為你提供TI(ti)LMG3410相關產品參數、數據手冊，更有LMG3410的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LMG3410真值表，LMG3410管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:33:05
電子發燒友網為你提供TI(ti)LMG1210相關產品參數、數據手冊，更有LMG1210的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LMG1210真值表，LMG1210管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:00:05
電子發燒友網為你提供TI(ti)LMG1205相關產品參數、數據手冊，更有LMG1205的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LMG1205真值表，LMG1205管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:00:05
低側驅動器可為要求速度的應用提供高效率、高性能的設計，適用于LiDAR、飛行時間激光貿澤電子供應的Texas Instruments LMG1020低側GAN驅動器，專為高速驅動GaN FET和邏輯電平
2018-11-03 10:47:001513 本文介紹了LMG1020主要特性，框圖和典型應用電路圖以及高壓評估板LMG1020-HB-EVM主要特性，框圖，電路圖，材料清單和PCB設計圖。
2019-04-05 11:02:006111 
電子發燒友網為你提供TI(ti)LMG3410R070相關產品參數、數據手冊，更有LMG3410R070的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LMG3410R070真值表，LMG3410R070管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-01-08 17:46:11
）功率級工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅動器集成GaN解決方案的半導體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級與TI的模擬和數字電源轉換控制器相結合
2019-08-07 10:17:061928 此參考設計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現了一款數兆赫茲功率級設計。憑借高效的開關和靈活的死區時間調節，此參考設計不僅可以顯著改善
2020-06-30 08:00:000 TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關節點振鈴，以及可將開關損耗降低多達80%的零反向恢復。
2020-05-29 16:39:072547 此激光雷達（光距離和范圍探測）參考設計展示了一款低側納秒級 GaN 柵極驅動器 LMG1020，該驅動器能夠驅動 FET 產生功率超過 100W 的 1ns 激光光脈沖。
2020-07-23 08:00:0020 目前 MOSFET 驅動器的主要用途之一是進行不同類型電機的驅動控制。此應用筆記對一些基本概念進行討論以幫助用戶選擇適合應用的 MOSFET 驅動器。
2021-05-10 11:28:4541 ) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關性能。將GaN FET與驅動器集成在一個封裝內可以減少寄生電感
2022-01-26 15:11:021649 
。EPC21601 是一款單芯片加 eGaN? FET 驅動器，采用 EPC 專有的 GaN IC 技術，采用芯片級 BGA 外形尺寸，尺寸為 1.5 mm x 1.0 mm。
2022-08-04 09:17:572015 
具有集成式驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計
2022-10-28 12:00:200 在過去幾年里，GaN技術，特別是硅基GaN HEMT技術，已成為電源工程師的關注重點。該技術承諾提供許多應用所需的大功率高性能和高頻開關能力。然而，隨著商用GaN FET變得更容易獲得，一個關鍵問題仍然存在。為何選擇共源共柵？
2023-02-09 09:34:12419 
MOSFET 和 GaN FET 應用手冊-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1625 您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅動它。圖 1 顯示了用于驅動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41963 
該芯片是一款單通道低側GaN FET和邏輯電平MOSFET驅動器，可應用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側驅動的功率轉換器等領域。
2023-06-30 09:58:50263 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應用的 E-mode（增強型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 電子發燒友網站提供《ISL73041SEH 12V半橋GaN FET驅動器的高劑量率總電離劑量測試.pdf》資料免費下載
2023-12-21 10:42:460 電子發燒友網站提供《耐輻射12V半橋GaN FET驅動器 71441MM數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-14 11:06:450 電子發燒友網站提供《輻射硬化12V半橋GaN FET驅動器 73041SEH數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-14 11:02:050 GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優勢，為電力電子產業帶來了革命性的變化。然而，GaN技術的快速發展有時超出了專門為GaN設計的柵極驅動器和控制器的發展。因此，電路設計師經常轉向為硅MOSFETs設計的通用柵極驅動器，這就需要仔細考慮多個因素以實現最佳性能。
2024-02-29 17:54:08189 
電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:20:580 電子發燒友網站提供《600V 30m?具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG342xR030數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 14:17:130 電子發燒友網站提供《600V 50m?具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG342xR050數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 15:27:070
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