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TI LMG1020低邊GaN FET驅(qū)動(dòng)器解決方案

電子工程師 ? 來(lái)源:陳翠 ? 2019-04-05 11:02 ? 次閱讀

TI公司的LMG102是單個(gè)低邊GaN和Si MOSFET驅(qū)動(dòng)器,高達(dá)60MHz工作頻率,輸入脈沖寬度1ns,傳輸時(shí)延典型值2.5ns,上升和下降時(shí)間為400ps,7A峰值源電流和5A峰值沉電流,5V工作電壓,主要用在激光雷達(dá)(LiDAR),TOF激光驅(qū)動(dòng)器,面部識(shí)別,E類無(wú)線充電器,VHF諧振電源轉(zhuǎn)換器,GaN同步整流器和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)。本文介紹了LMG1020主要特性,框圖和典型應(yīng)用電路圖以及高壓評(píng)估板LMG1020-HB-EVM主要特性,框圖,電路圖,材料清單和PCB設(shè)計(jì)圖。

The LMG1020 device is a single, low-side driverdesigned for driving GaN FETs and logic-levelMOSFETs in high-speed applications includingLiDAR, time-of-flight, facial recognition, and anypower converters involving low side drivers. Thedesign simplicity of the LMG1020 enables extremelyfast propagation delays of 2.5 nanoseconds andminimum pulse width of 1 nanosecond. The drivestrength is independently adjustable for the pull-upand pull-down edges by connecting external resistorsbetween the gate and OUTH and OUTL, respectively.

The driver features undervoltage lockout (UVLO) andovertemperature protection (OTP) in the event ofoverload or fault conditions.

0.8-mm × 1.2-mm WCSP package of LMG1020minimizes gate loop inductance and maximizespower density in high-frequency applications.

LMG102主要特性:

? Low-Side, Ultra-Fast Gate Driver for GaN andSilicon FETs

? 1 ns Minimum Input Pulse Width

? Up to 60 MHz Operation

? 2.5 ns Typical, 4.5 ns Maximum PropagationDelay

? 400 ps Typical Rise and Fall Time

? 7-A Peak Source and 5-A Peak Sink Currents

? 5-V Supply Voltage

? UVLO and Overtemperature Protection

? 0.8 mm × 1.2 mm WCSP Package

LMG102應(yīng)用:

? LiDAR

? Time-of-Flight Laser Drivers

? Facial Recognition

? Class-E Wireless Chargers

? VHF Resonant Power Converters

? GaN-Based Synchronous Rectifier

? Augmented Reality

圖1. LMG102功能框圖

圖2. LMG102簡(jiǎn)化LiDAR驅(qū)動(dòng)級(jí)框圖

圖3. LMG102典型應(yīng)用電路圖

通用高壓評(píng)估板LMG1020-HB-EVM

The LMG1020-HB-EVM is designed to evaluate the LMG1020 Nano-second low-side driver for GaN FETs.

This EVM consists of one Gallium Nitride (GaN) eFET driven by one LMG1020 and with the sourceconnected to a resistive load emulating a laser diode for LiDAR (Light Detection And Ranging)applications.

The guide shows a circuit and the list of materials describing how to power the board up and how to setthe board up for a certain regulation voltage. The EVM board is designed to accelerate the evaluation ofthe LMG1020.

This board is not intended to be used as a standalone product but it intended to evaluate the switchingperformance of LMG1020.

This EVM guide describes correct operation and measurement of the EVM, as well as the EVMconstruction and typical performance.

The LMG1020-EVM is a small, easy-to-use power stage with integrated resistive load. It takes a shortpulseinput that can either be buffered (and shorten further), or passed directly to the power stage.

The input pulse is signal is used to pulse the current through the load, to achieve 1-2ns wide currentpulses, which are the state-of-the-art target for LiDAR systems.

The EVM features a LMG1020 low side nano-second driver, driving a single EPC2039 FET referenced toground and with the drain connected to the resistive load.

The load is split between two current loops to reduce the effective inductance. The board has larger padson which a laser diode of choice can be mounted.

圖4. LMG102 LiDAR功率級(jí)電路圖

評(píng)估板LMG1020-HB-EVM電性能指標(biāo):

圖5.評(píng)估板LMG1020-HB-EVM外形圖

圖6.評(píng)估板LMG1020-HB-EVM電路圖

評(píng)估板LMG1020-HB-EVM材料清單:

圖7.評(píng)估板LMG1020-HB-EVM PCB設(shè)計(jì)圖(1):頂層和元件圖

圖8.評(píng)估板LMG1020-HB-EVM PCB設(shè)計(jì)圖(2):底層和元件圖

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