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采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展

1200V的62mm CoolSiC MOSFET半橋模塊現(xiàn)已上市。由于采用了M1H芯片技術(shù)，模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口方面性能得到了改善。現(xiàn)可提供2.9mΩ 1200V新規(guī)格，帶或不帶熱界面材料(TIM)。

相關(guān)產(chǎn)品：

FF3MR12KM1H 2.9mΩ，

1200V 62mm半橋模塊

FF3MR12KM1HP 2.9mΩ，

1200V 62mm半橋模塊 預(yù)涂TIM

產(chǎn)品特點(diǎn)

集成體二極管，優(yōu)化了熱阻

卓越的柵極氧化層可靠性

抗宇宙射線能力強(qiáng)

應(yīng)用價(jià)值

按照應(yīng)用苛刻條件優(yōu)化

更低的電壓過(guò)沖

導(dǎo)通損耗最小

高速開(kāi)關(guān)，損耗極低

對(duì)稱模塊設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)對(duì)稱的上下橋臂開(kāi)關(guān)行為

標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝技術(shù)確保可靠性

62毫米高產(chǎn)量生產(chǎn)線的生產(chǎn)

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

通過(guò)碳化硅擴(kuò)展成熟的62毫米封裝的產(chǎn)品，以滿足快速開(kāi)關(guān)要求和低損耗的應(yīng)用。

電流密度最高，防潮性能強(qiáng)

應(yīng)用領(lǐng)域

儲(chǔ)能系統(tǒng)

電動(dòng)汽車充電

光伏逆變器

UPS