GaN功率器件的應用在消費類產(chǎn)品電源近年相當普及，大大提升了電源的效率和功率密度，其優(yōu)點和用量遞增，也逐漸延伸到服務器和工業(yè)電源領域。

安森美（onsemi）新推出的iGaN NCP5892x系列，集成eGaN與驅(qū)動電路一體化，讓電源工程師在GaN的應用更簡單容易，

現(xiàn)成的集成GaN驅(qū)動器

GaN器件是最高性能的開關，提供極低的靜態(tài)和動態(tài)損耗。當與驅(qū)動器共同封裝時，它們在高性能電源轉(zhuǎn)換器設計中簡單應用，可滿足嚴格的能效規(guī)范，如80 Plus Titanium。

驅(qū)動GaN器件的最佳和最簡單的方法是使用預先優(yōu)化的集成驅(qū)動器方案，如安森美的NCP58920或NCP58921。這些器件是650 V增強型GaN器件，具有150 mΩ和50 mΩ的導通電阻，適用于所有常見的轉(zhuǎn)換器拓撲結構，包括TPPFC，它們在“硬開關”應用中表現(xiàn)特別好，其中GaN具有顯著優(yōu)勢。

在一個典型的低成本、TPPFC+LLC轉(zhuǎn)換器中，一對NCP58921器件能提供超過250 W的直流輸出，能效近95%。但在服務器電源中，以優(yōu)化的導通模式和磁學，可達到80+ Titanium的目標。

圖1：使用安森美的NCP58291集成GaN+驅(qū)動器的PSU，能效峰值約95%

NCP5892x器件采用熱能效高的PQFN 8x8封裝，焊盤裸露，結點到板的熱阻為0.4 °C/W。驅(qū)動器部分的電源電壓是非觸發(fā)、非門限的，最低8.5 V，最高20 V，因為該器件內(nèi)部含一個6 V鉗位的低壓降穩(wěn)壓器(LDO)用于GaN HEMT驅(qū)動器，如果需要還可集成一個用于外部數(shù)字隔離器電源的5 V LDO。