全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出具有低導(dǎo)通電阻*1優(yōu)勢(shì)的車載NchMOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產(chǎn)品非常適用于汽車門鎖和座椅調(diào)節(jié)裝置等所用的各種電機(jī)以及LED前照燈等應(yīng)用。目前，3種封裝10種型號(hào)的新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始銷售，未來(lái)會(huì)繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容。

在汽車領(lǐng)域，隨著安全性和便捷性的提高，電子產(chǎn)品逐漸增加，使得所安裝的電子元器件數(shù)量也與日俱增，而且，為了提高燃油效率和降低電耗，還要求降低這些產(chǎn)品的功耗。其中，尤其是在對(duì)于車載開(kāi)關(guān)應(yīng)用不可或缺的MOSFET市場(chǎng)，對(duì)導(dǎo)通電阻低、損耗低且發(fā)熱量低的產(chǎn)品需求高漲。

ROHM一直在為消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域提供采用中等耐壓新工藝的低導(dǎo)通電阻MOSFET。此次通過(guò)將這種新工藝應(yīng)用于對(duì)可靠性要求高的車載產(chǎn)品，又開(kāi)發(fā)出具有低導(dǎo)通電阻優(yōu)勢(shì)的10款車載Nch MOSFET新產(chǎn)品。不僅有近年來(lái)需求高漲的2.0mm×2.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸的小型封裝產(chǎn)品，還有傳統(tǒng)的TO-252封裝產(chǎn)品，未來(lái)將會(huì)繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容并持續(xù)供應(yīng)。

新產(chǎn)品的耐壓分別為40V、60V和100V，均通過(guò)采用split gate*3實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻，有助于車載應(yīng)用的高效運(yùn)行。所有型號(hào)的新產(chǎn)品均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101，并確保高可靠性。

封裝有適用于不同應(yīng)用的3種形式。小型封裝DFN2020Y7LSAA(2.0mm×2.0mm)和HSMT8AG(3.3mm×3.3mm)非常適用于高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等安裝面積較小的應(yīng)用。另外還有已被廣泛用于車載電源等應(yīng)用的TO-252(DPAK)封裝(6.6mm×10.0mm)。DFN2020Y7LSAA封裝的引腳采用的是可潤(rùn)濕側(cè)翼(Wettable Flank)成型技術(shù)*4，TO-252封裝的引腳采用的是鷗翼型結(jié)構(gòu)*5，安裝可靠性都非常高。

目前，新產(chǎn)品暫以月產(chǎn)1,000萬(wàn)個(gè)(10種型號(hào)合計(jì))的規(guī)模量產(chǎn)(樣品價(jià)格500日元/個(gè)，不含稅)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.(日本滋賀工廠)，后道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)和ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國(guó))。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)電商進(jìn)行銷售，通過(guò)Ameya360電商平臺(tái)可購(gòu)買。

未來(lái)，ROHM將致力于擴(kuò)大車載用中等耐壓Nch MOSFET的產(chǎn)品陣容。計(jì)劃于2024年10月開(kāi)始量產(chǎn)DFN3333封裝(3.3mm×3.3mm)和HPLF5060封裝(5.0mm×6.0mm)的產(chǎn)品，于2025年開(kāi)始量產(chǎn)80V耐壓的產(chǎn)品。另外還計(jì)劃增加Pch產(chǎn)品。ROHM將繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，為車載應(yīng)用的高效運(yùn)行和小型化貢獻(xiàn)力量。

<產(chǎn)品陣容>

<應(yīng)用示例>

各種車載電機(jī)(汽車門鎖、座椅調(diào)節(jié)器、電動(dòng)車窗等)

LED前照燈

信息娛樂(lè)系統(tǒng)、車載顯示器

高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)

<電商銷售信息>

電商平臺(tái)：Ameya360

(開(kāi)始銷售時(shí)間：2024年6月)

<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

01. 導(dǎo)通電阻(Ron)

MOSFET啟動(dòng)(ON)時(shí)漏極與源極之間的電阻值。該值越小，運(yùn)行時(shí)的損耗(電力損耗)越少。

02. Nch MOSFET

通過(guò)向柵極施加相對(duì)于源極為正的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎。

03. split gate

一種將MOSFET的柵極分為多段以有效調(diào)整電子流動(dòng)的技術(shù)。利用該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高速且高可靠性的運(yùn)行。

04. 可潤(rùn)濕側(cè)翼(Wettable Flank)成型技術(shù)

一種在底部電極封裝的引線框架側(cè)面進(jìn)行電鍍加工的技術(shù)。利用該技術(shù)可提高安裝可靠性。

05. 鷗翼型結(jié)構(gòu)

引腳從封裝兩側(cè)向外伸出的封裝形狀。散熱性優(yōu)異，可提高安裝可靠性。

審核編輯 黃宇