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江波龍FORESEE 2xnm SLC NAND Flash以先進制程工藝迎接WiFi7時代

全球TMT ? 來源:全球TMT ? 作者:全球TMT ? 2024-09-04 11:26 ? 次閱讀
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深圳2024年9月4日/美通社/ -- 隨著消費者對電子產品耐用性和性能的期望日益增長,市場上對元器件的選擇標準也在不斷提高。在眾多關鍵組件中,NAND Flash因其在數據存儲和處理速度上的核心作用,成為了廠商們尤為重視的焦點。在這一背景下,NAND Flash不僅需要滿足基本的存儲需求,更要在性能、可靠性以及耐用性上達到更高的標準。客戶期望的不再僅僅是"夠用",而是"超越期望"。

近日,在ELEXCON2024深圳國際電子展上,江波龍首次提出了PTM(存儲產品技術制造)商業模式。該模式的核心在于整合公司的自研存儲芯片、固件、硬件和先進封測制造技術,實現更靈活、更高效的全棧式定制化服務和一站式交付。

同時,江波龍還正式公布了自研的2xnm SLC NAND Flash系列產品,以創新技術滿足市場對高性能、高可靠性的閃存需求,為PTM商業模式下的自研存儲芯片注入了新動力。

全新制程工藝 業界領先性能

新一代的FORESEE SLC NAND Flash在技術層面實現了重大突破。產品采用2xnm工藝,不僅實現了業界領先的166MHz工作頻率,而且在電路設計上進行了創新,有效降低了噪聲干擾,實現數據的快速讀寫。在性能及容量不斷提升的同時,各應用場景對于可靠性和微型化的要求并未降低。工程師團隊針對不同SoC方案,通過高精度電路和改進的讀寫算法,集成了具有更強糾錯能力的片上ECC引擎。在保持小尺寸的基礎上,FORESEE SLC NAND Flash具備更卓越的數據保持能力和擦寫耐用性。

經過江波龍全面的測試流程驗證,該產品能夠滿足10萬次擦寫性能和10年數據保持時間的嚴苛要求。

自研Flash芯片 探索多元選擇

FORESEE 2xnm SLC NAND Flash系列提供SPI(x1/x2/x4)和PPI(x8)兩種主流接口選項,并提供2Gb、4Gb和8Gb等多種容量選擇,支持-40~85℃至-40~105℃的寬溫工作環境,確保在極端環境下也能穩定運行。此外,WSON8、TSOP 48、BGA 48和BGA 63的多樣化封裝形式,為不同應用場景提供了靈活的集成設計方案。該款產品廣泛應用于xPON、WiFi路由器、IPC、MIFI和CPE等市場,為智能設備提供了強大的數據存儲支持。


迎接WiFi7時代 定制客戶未來所需

以無線路由器設備為例,當前WiFi5&6使用的主流閃存容量為1Gbit甚至容量更小的128Mbit,但隨著WiFi7路由器、FTTR等高性能設備逐漸開始商用,需要使用2Gbit SLC NAND Flash才能夠滿足其系統要求。同時,當前主流的SPI NAND Flash主頻規格為120MHz,未來隨著AI及邊緣計算的規模化發展,133MHz和166MHz的更高主頻規格將有望成為市場"新寵"。

FORESEE團隊深刻理解客戶需求,為了滿足市場對讀取性能的需求,FORESEE 2Gb SPI NAND Flash產品支持DTR模式,在不升頻的情況下,支持時鐘上升沿及下降沿接收地址信息并傳送數據,并在Quad SPI模式下實現了數據吞吐量的顯著提升。此外,團隊通過不斷優化芯片設計,產品還加入了內部cache的頁數據搬移技術,極大提高了文件系統效率和關鍵數據的調用效率。

控制器與Flash設計+固件開發+封測制造

存儲芯片完整垂直整合能力

通過在NAND Flash、主控芯片和封測制造能力的一系列布局,江波龍在技術、制程工藝、產能效率以及供應鏈管理等方面實現了質的飛躍,進一步提升在存儲芯片領域的綜合競爭力。從芯片設計到產品測試,再到規模化量產,江波龍已構建起存儲芯片完整的垂直整合能力,為客戶提供一站式存儲產品技術制造的全棧定制服務。

未來,江波龍研發團隊將不斷深化SLC NAND Flash芯片設計能力,持續優化產品規格,增強SLC NAND Flash的易用性,為MLC NAND Flash的自主批量生產做好充分準備,以適應不斷變化的市場需求。同時,公司將繼續深入挖掘NAND Flash、DRAM、主控芯片的應用潛力,并融合前瞻性技術,尋求更先進的工藝節點來設計產品,從而加強產品線的協同效應,實現存儲性能與成本效益的最優平衡,更好地服務全球客戶。



審核編輯 黃宇

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