芯片設計領域正面臨一場由尺寸擴張引發的技術挑戰與制造能力的雙重考驗。據臺灣《工商時報》最新報道，英偉達在推進其高端GPU芯片，包括即將發布的RTX 50系列顯卡時，遭遇了因材料間熱膨脹系數（CTE）差異導致的芯片翹曲及系統潛在故障問題。為解決這一問題，英偉達已著手重新設計GPU芯片的頂部金屬層和凸點結構，旨在提升產品良率。這一調整不僅限于AI芯片RTO（重新流片）的修改，還波及了RTX 50系列顯卡的上市計劃，導致其發布時間從原定的第四季度末推遲至明年第一季度后，市場放量更是延至明年第二季度。

與此同時，英偉達CEO黃仁勛所提及的業界最大GPU——AI芯片Blackwell，其前所未有的規模（由兩顆芯片拼接而成）和采用的臺積電4納米先進制程技術，雖帶來了高達2080億個晶體管的強大性能，卻也伴隨著封裝復雜性的顯著增加。采用CoWoS-L封裝技術，盡管能實現高速數據傳輸（約10TB/s），但橋接LSI與RDL的極高精度要求，使得任何微小瑕疵都可能造成價值高昂的芯片損失，進一步影響生產效率和成本效益。

這一現象并非英偉達獨有，供應鏈內部消息指出，隨著芯片尺寸的持續擴大，整個行業都在面對設計與制造上的新難題。AMD首席執行官蘇姿豐亦曾指出，未來芯片的發展需在效能與功耗之間找到新的平衡點，以滿足AI數據中心等應用對算力需求的爆炸式增長。因此，調整設計以提高良率、優化封裝技術以降低生產風險，已成為行業內的普遍趨勢。

綜上所述，芯片設計的進化之路充滿了挑戰與機遇，廠商們正不斷探索新技術、優化生產流程，以應對日益增長的算力需求與復雜的制造難題。