如果你最近想買手機，沒準兒你一看價格會被嚇到，手機什么時候偷偷漲價啦！

其實對于手機漲價，手機制造商也是有苦難言，其中一個顯著的原因是存儲器芯片價格的上漲↗↗↗

>>>存儲器memory的江湖地位

存儲器memory，是電子設備的基礎核心部件之一，全球memory市場規模約700億美元，在全球3352億美元的集成電路產業中，占據23%的份額。

隨著今年存儲器價格的飆漲，各大memory廠商賺得盆滿缽滿，甚至把memory稱為印鈔機也絲毫不為過。與此同時，存儲器在真金白銀的交換中，也充分證明了自己在電子信息產業江湖中的地位。

>>>存儲器的分類

存儲介質的形式有很多種，從穿孔紙卡、磁鼓、磁芯、磁帶、磁盤，到半導體DRAM內存，以及SD卡，固態硬盤、SSD、閃存等各種存儲介質。

存儲器大致可以分為掉電易失性（Volatile Memory）和非掉電易失性（Non-volatile memory）。

目前全球存儲器市場最大的集中在

DRAM、NAND Flash、NORFlash三大類

這三類存儲器，主要用在哪里呢？

以手機舉例——

4GB就是內存部分，DRAM，用來存放當前正在執行的數據和程序, 例如屏幕前的你正在刷的微信；

64GB就是閃存部分，NAND FLASH，用來存放長期信息，例如各位寶寶的美顏美照，你的聊天記錄，還有其他……當然了，也正是因為我們存的東西越來越多，二維空間已經無法存放這么多的信息，生生逼著NAND走向了三維空間，也就是3D NAND。

▲3D NAND的構造就像一個摩天大樓

此外，一些新型的存儲器也在研究的過程中，例如磁阻式RAM (MRAM--ST-MRAM、STT-MRAM)、電阻式RAM（ReRAM），PRAM、FeRAM等。

了解了Memory的龐大家族，和主要成員之后，我們回到老本行，來研究一下memory的測試方法。

按照Memory的設計制造working flow及其輔助電路，測試環節大致分為以下幾個部分：

• Cell level --design andmodeling 單元設計、評估及建模

• Wafer level –acceptance test代工廠晶圓級自動化測試

• Chip level --Protocolvalidation 芯片級協議分析

• Controller IC – Interfacemeasurement控制芯片接口測試

• Module level 以SSD為例

接下來我們分上、下兩篇分別講解

這5個部分的詳細測試方法和測試方案

{ 第一部分 }

三大問題，一個對策，你值得擁有

當前主流的NVM由于讀寫速度快，測試序列復雜，因此在測試時需要

• High pulse quality 高質量的脈沖

• Complex waveform generation復雜的信號生成

• Higher throughput 高吞吐率

典型的memory cell測試主要分為3部分：

1、Write / Erase pulse width dependency

2、Endurance test

3、Disturb test

Write / Erase pulse width dependency

流程如下

問題 1-a)脈沖波形失真

根據以上測試流程，首先我們的工程師編寫程序寫進一個理想脈沖。

然而由于傳輸線的多重反射及電感效應，實際測試脈沖已經引入了失真：

問題 1-b) 復雜的時序圖生成

時鐘的同步、延時、脈寬、上升下降沿，都是要考慮的因素

Endurance Test的流程如下

問題2-a) 超長疲勞測試時間

Issue 2-b) 還是波形產生的問題，在疲勞測試中需要為memory cell注入多電壓信號脈沖，以測試memory的性能

Disturb test

Issue 3-a) 測試設備的靈活性，例如：在兩個cell上同時加壓，一個為工作單元, 一個為干擾單元

Issue 3-b) 要求比較高的電壓加速degradation (e.g. > 40Vfor NAND)

總結以上部分，可得在存儲器單元主要三種功能測試中，主要的測試挑戰如下

面對如此錯綜復雜的考量，正確的方法，是使用Keysight HV-SPGU module in B1500A（HighVoltage Semiconductor Pulse Generator Unit），這是基于Keysight半導體參數分析儀（也就是Tracer）B1500A的高壓脈沖產生單元，它可以產生± 40V的電壓脈沖，用于memory cell 的disturb test。

從正面面板，可以看到這一個可配置于B1500A的模塊，每個模塊有兩個channel，也就是說對于5插槽的B1500A，最高可以配置10個channel。

除了高壓、通道數之外，我們接下來來了解一下它在復雜波形生成、超高脈沖精度、以及測試軟件等方面的能力，看它是如何在方方面面滿足memory cell測試的全部要求。

>>> 看精度

如此好的精度，帶來的直接好處，就是脈沖建立時，overshoot和振鈴都非常小，來看幾種電壓和建立時間的組合：

▲Ttransient=20ns；Vamp=10V

▲Ttransient=20ns；Vamp=20V

▲Ttransient=30ns；Vamp=40V

>>>看測試場景

33種測試場景，貼心內置

>>>看速度：

Estimated test time

for one millioncycle endurance test

20倍加速，再也不用等待那么長的時間。

{ 第二部分 }

第一部分居然羅里吧嗦講了這么長，弄得小編開始懷疑自己的年齡。為了證明小編還年輕，決定一言不發，甩2張圖直截了當簡單粗暴快刀斬亂麻結束這一部分

歡迎各位留言咨詢~~~ 哦

下期預告

DRAM, 主要用作Main Memory，也就是我們常見的電腦和手機的內存部分，DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random AccessMemory的縮寫，即同步動態隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。

還有UFS, eMMC, M.2, 一一在路上。

最后安利：芯片不止決定了電子系統的性能，還在很大程度上決定了電子產品的定價。支持國家大力發展存儲器，突破科技封鎖和市場壟斷。