在CPSSC 2017 現(xiàn)場(chǎng)展示世界最小的筆記本適配器
納微 (Navitas) 半導(dǎo)體宣布,將在11月3號(hào)到6號(hào)在上海舉辦的中國(guó)電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)(CPSSC) 上展示最新的氮化鎵(GaN)功率IC及其應(yīng)用。
納微首席技術(shù)官兼首席運(yùn)營(yíng)官Dan Kinzer表示:“CPSSC是亞洲電力電子行業(yè)重要的技術(shù)會(huì)議,共有450多份同行評(píng)議的技術(shù)論文和1000多名來(lái)自行業(yè)和學(xué)術(shù)界的與會(huì)者。 中國(guó)工程師非常了解納微半導(dǎo)體的改變行業(yè)形勢(shì)的AllGaN?平臺(tái),并且非常愿意使用氮化鎵(GaN)功率IC”
納微首席執(zhí)行官Gene Sheridan表示:“作為CPSSC的贊助商,納微會(huì)再次顯示我們致力把AllGaN?技術(shù)帶到中國(guó)來(lái),會(huì)在現(xiàn)場(chǎng)展示基于業(yè)界首個(gè)氮化鎵GaN功率IC的高功率密度開(kāi)關(guān)電源。 納微半導(dǎo)體正在實(shí)現(xiàn)下一代快速充電器和適配器,電視電源,電動(dòng)汽車(chē),LED和新能源解決方案”
會(huì)議展覽將于2017年11月3日至6日在上海松江區(qū)上海富悅大酒店舉行。
納微半導(dǎo)體將出席以下會(huì)議論文/活動(dòng):
納微展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)展示時(shí)間:
11月4日(星期六) 8:00-18:00
11月5日(星期日) 8:00-18:30
關(guān)于納微
納微(Navitas)半導(dǎo)體公司是世界上第一家也是唯一的 GaN 功率IC 公司, 于 2013 年在美國(guó)加利福尼亞州 El Segundo 成立。納微擁有強(qiáng)大且不斷增長(zhǎng)的功率半導(dǎo)體行業(yè)專(zhuān)家團(tuán)隊(duì),在材料、器件、 應(yīng)用程序、系統(tǒng)和營(yíng)銷(xiāo)及創(chuàng)新成功記錄的領(lǐng)域內(nèi),合共擁有超過(guò)200年的經(jīng)驗(yàn);此外,其多位創(chuàng)始人也合共擁有超過(guò)200項(xiàng)專(zhuān)利。該公司專(zhuān)有的 AllGaN? 工藝設(shè)計(jì)套件將最高性能的 GaN FET 與邏輯和模擬電路單片集成。納微GaN 功率IC為移動(dòng)、消費(fèi)、企業(yè)和新能源市場(chǎng)提供更小、更高能效和更低成本的電源。 納微擁有或正在申請(qǐng)的專(zhuān)利超過(guò) 30 項(xiàng)。
-
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
1966瀏覽量
74339 -
納微半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
130瀏覽量
20172
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
納微半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈
![<b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈](https://file1.elecfans.com/web3/M00/07/6E/wKgZO2elnDKAAJqYAAAiMkWQCjs545.png)
氮化鎵充電器和普通充電器有啥區(qū)別?
納微半導(dǎo)體邀您相約CES 2025
第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)
![第三代<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)基礎(chǔ)知識(shí)](https://file1.elecfans.com/web3/M00/00/27/wKgZPGdG1EyAdBwQAABzTFDjhYM550.png)
德州儀器氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)能大幅提升
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試
![遠(yuǎn)山<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的耐高壓測(cè)試](https://file1.elecfans.com/web2/M00/0B/5D/wKgaomcgnKmAMgt-AAAN43LjDhg308.jpg)
納微十年,氮化鎵GaNSlim上新,持續(xù)引領(lǐng)集成之勢(shì)
![<b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b>十年,<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>GaNSlim<b class='flag-5'>上</b>新,持續(xù)引領(lǐng)集成之勢(shì)](https://file1.elecfans.com/web2/M00/0A/EC/wKgaomcYVqKAbjZvAALl_VdYeZU331.png)
納微半導(dǎo)體發(fā)布GaNSli氮化鎵功率芯片
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌,引領(lǐng)技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)
氮化鎵(GaN)的最新技術(shù)進(jìn)展
![<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)的最新技術(shù)進(jìn)展](https://file.elecfans.com/web2/M00/27/37/poYBAGHBmA2AD7e7AAAahjWuYP4250.jpg)
評(píng)論