三星下調(diào)HBM產(chǎn)能目標，強化研發(fā)與生產(chǎn)協(xié)作
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子已對其2025年底的高帶寬內(nèi)存（HBM）最大產(chǎn)能目標進行了調(diào)整。原定的每月20萬顆產(chǎn)能目標已被下調(diào)至每月17萬顆，降幅超過10%。
此次調(diào)整的原因主要是向主要客戶的量產(chǎn)供應被推遲。面對這一情況，三星對其尖端的HBM設備投資計劃采取了更為保守的態(tài)度。
為了增強半導體競爭力，三星電子并未因此氣餒，而是采取了積極的應對措施。公司決定直接派遣研發(fā)人員到工廠，以改善與一線生產(chǎn)團隊的溝通和協(xié)作。這一舉措旨在加強研發(fā)與生產(chǎn)之間的緊密聯(lián)系，提高整體運營效率，從而更好地應對市場變化。
三星電子的這一調(diào)整無疑反映了當前半導體行業(yè)的嚴峻形勢。然而，通過調(diào)整產(chǎn)能目標和加強研發(fā)與生產(chǎn)協(xié)作，三星正努力保持其在半導體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
未來，隨著市場需求的不斷變化和技術(shù)的不斷進步，三星電子將繼續(xù)密切關(guān)注市場動態(tài)，靈活調(diào)整策略，以確保其半導體業(yè)務的持續(xù)發(fā)展。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15885瀏覽量
181996 -
內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
3102瀏覽量
74883 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
401瀏覽量
15046
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率
較為激進的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當?shù)貢r間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
三星電子計劃新建封裝工廠，擴產(chǎn)HBM內(nèi)存
三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導體封裝工廠，以擴大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設施，進一步提升三星電子在半導體領(lǐng)域的生產(chǎn)能
三星擴建HBM生產(chǎn)設施，預計2027年完工
三星電子公司近日宣布了一項重大投資決策，計劃擴建其位于韓國忠清南道的半導體封裝設施，以提高高帶寬存儲器（HBM）的產(chǎn)量。這一舉措標志著三星在HBM市場領(lǐng)域的進一步拓展。
三星擴建半導體封裝工廠，專注HBM內(nèi)存生產(chǎn)
近日，三星電子計劃在韓國忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設施基礎上，再建一座半導體封裝工廠，專注于HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)等內(nèi)存產(chǎn)品的生產(chǎn)。據(jù)悉，三星
三星或?qū)?b class='flag-5'>HBM產(chǎn)能目標下調(diào)至每月17萬顆
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子已對其2025年底的高帶寬內(nèi)存（HBM）最大產(chǎn)能目標進行了調(diào)整，下調(diào)幅度超過10%，從原先計劃的每月20萬顆減至17
三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃，應對英偉達供應延遲
近日，三星電子因向英偉達供應HBM3E內(nèi)存的延遲，對其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進行了調(diào)整。據(jù)韓媒報道，三星已將2025年底的
三星調(diào)整晶圓代工策略，聚焦NAND Flash與HBM
三星電子近期調(diào)整了其晶圓代工產(chǎn)能擴充計劃，決定暫緩平澤P4工廠的進一步擴建，轉(zhuǎn)而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲器（HBM）的生產(chǎn)上。這一戰(zhàn)略調(diào)整反映了
三星、SK海力士及美光正全力推進HBM產(chǎn)能擴張計劃
近期，科技界傳來重要消息，三星、SK海力士及美光三大半導體巨頭正全力推進高帶寬內(nèi)存（HBM）的產(chǎn)能擴張計劃。據(jù)預測，至2025年，這一領(lǐng)域的新增產(chǎn)量將激增至27.6萬個單位，推動年度總
三星電子加速推進HBM4研發(fā)，預計明年底量產(chǎn)
三星電子在半導體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅實一步，據(jù)業(yè)界消息透露，該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器（HBM4）的流片工作。這一舉措標志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現(xiàn)12層HBM
三星HBM3e獲英偉達認證，加速DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)型
近日，三星電子在半導體領(lǐng)域再傳捷報，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達（NVIDIA）的嚴格認證，標志著該產(chǎn)品即將進入規(guī)模化生產(chǎn)階段，預計在
英偉達否認三星HBM未通過測試
英偉達公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM（高帶寬內(nèi)存）的傳聞進行了澄清。他明確表示，英偉達仍在認證三星提供的HBM內(nèi)存，并否認了三星
SK海力士力挫三星，穩(wěn)坐HBM行業(yè)領(lǐng)軍地位
值得注意的是，早年對HBM技術(shù)表現(xiàn)出濃厚興趣的三星，與英偉達共同研發(fā)了HBM及HBM2系列產(chǎn)品，然而銷售初期市場反應冷淡，導致持續(xù)虧損。
三星HBM研發(fā)受挫，英偉達測試未達預期，如何滿足AI應用GPU的市場需求？
據(jù)DigiTimes報道，三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。三星與臺積電在晶圓代工領(lǐng)域長期競爭，但在英偉達主導的HBM市場，
三星電子否認HBM產(chǎn)品未達標，多家合作公司保證質(zhì)量
針對媒體報道三星電子高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品未達英偉達品質(zhì)標準的傳聞，三星予以明確否認。該報道列舉了散熱及功耗等問題，并稱三星的HBM產(chǎn)品尚
三星HBM3E芯片驗證仍在進行，英偉達訂單分配備受關(guān)注
業(yè)內(nèi)評論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問題，主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與
工商網(wǎng)監(jiān)
評論