韓國研發研發出能感知從紫外線到近紅外線的下一代光二極管元件
韓國科學技術研究院發布消息稱，該院光電材料研究小組將鎢硒2維納米膜與1維氧化鋅納米線雙重結合，研發出能感知從紫外線到近紅外線的下一代光二極管元件。該研究成果在國際學術期刊《Advanced Functional Materials》(IF)上刊登。
光二極管元件是影響手機攝像頭、數碼相機像素的重要部分，在攝像頭中使用的圖像傳感器可通過光二極管元件感知光線后轉換成電子信號，然后通過芯片對信號進行處理。低維納米半導體材料是未來半導體材料的主要發展方向。
此次研究組使用的鎢硒2維納米膜屬于硫屬元素的一種，是可以在柔軟顯示屏、傳感器、柔軟電子元件使用的2維壓層結晶納米P型半導體材料，具有持久耐用、準確性高的特點。而1維氧化鋅(ZnO)納米線，是一款可應用于高性能電子芯片的n型半導體材料，具有極佳的電子移動特性。研究組運用化學氣象沉積方法將合成的1維氧化鋅納米線與2維納米膜混合形成（PN）型光二極管元件，將其運用到圖像傳感器像素中。研究組負責人表示，此次研發的新型元件，將進一步推動以納米半導體像素為基礎的下一代圖像傳感器元件的商業化進程。
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原文標題：韓國研發出新型半導體材料
文章出處：【微信號：iawbs2016，微信公眾號：寬禁帶半導體技術創新聯盟】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
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