IMD2 工藝與 IMD1工藝類似。IMD2 工藝是指在第二層金屬與第三層金屬之間形成的介質(zhì)材料，形成電性隔離。

1）淀積USG。利用 HDP CVD 淀積一層比較厚的SiO2，厚度約為7000A。因?yàn)?HDP CVD臺(tái)階覆蓋率非常好，可以有效地填充金屬線之間的空隙。

2）淀積 USG。通過(guò) PECVD 淀積一層厚度約為8000A 的SiO2。淀積的方式是利用 TEOS在400°C發(fā)生分解反應(yīng)形成二氧化硅淀積層。因 PECVD的淀積速率比 HDP CVD 要高，可以提高產(chǎn)能。但是 PECVD的空隙填充能力比 HDP CVD 差。圖4-119所示為淀積 USG的剖面圖。

3）IMD2平坦化。利用 CMP進(jìn)行IMD2平坦化，以利于后續(xù)淀積金屬和光刻工藝。因?yàn)镮MD2 CMP沒(méi)有停止層，所以必須通過(guò)控制 CMP工藝的時(shí)間來(lái)達(dá)到特定的IMD2厚度。圖4-120所示為 IMD2 CMP 的剖面圖。

4）量測(cè)IMD2厚度。收集CMP之后的IMD2厚度數(shù)據(jù)，檢查是否符合產(chǎn)品規(guī)格。

5）清洗。利用酸槽清洗晶圓，得到清潔的表面。

6）淀積USG。通過(guò) PECVD淀積一層厚度約為2000A的SiO2。淀積的方式是利用TEOS在400°C發(fā)生分解反應(yīng)形成二氧化硅淀積層。修復(fù)CMP對(duì)表面的損傷。圖4-119所示為淀積USG 的剖面圖。

7）淀積 SiON。利用 PECVD淀積一層SiON 作為光刻的防反射層。圖4-121所示為淀積SiON的剖面圖。